Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе

• Автор: Столяров, Максим Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Калуга
• Количество страниц: 165 с. : ил.

Глава 1. Инжекционная модификация многослойных

диэлектрических слоев МДП-структур

1.1. Сильполевая туннельная инжекция и основные направления ее использования в МДП-технологиях
1.2. Процессы накопления зарядов в многослойных диэлектрических слоях МДП-структур при инжекционной модификации
1.3. Инжекционные методы исследования МДП-структур с многослойными диэлектрическими слоями
1.4. Перспективные направления использования инжекционно модифицированных МДП-структур в полевых приборах и ИМС

Выводы к главе

Глава 2. Методы исследования накопления зарядов в многослойных диэлектричеких слоях МДП-структур
2.1. Метод двухуровневой токовой нагрузки для исследования процессов изменения зарядовых состояний в условиях сильных электрических полей

2.2. Установка для реализации метода двухуровневой токовой нагрузки

2.3. Измерительные установки, для исследования электрофизических характеристик инжекционно
модифицированных МДП-структур и приборов на их основе
Выводы к главе
Глава 3. Исследование процессов накопления и стекания зарядов в инжекционно модифицированных МДП-структурах и приборах на их основе

3.1. Влияние температуры на накопление положительного заряда в МДП-структурах 8г-8Ю2-ФСС-А1 при инжекционной модификации
3.2. Исследование влияния режимов сильнополевой инжекционной модификации на пороговые напряжения МДП-транзисторов
3.3. Исследование характеристик стекания инжекционно стимулированного заряда МДП-транзисторов и распределений МДП-структур по напряжению, соответствующему середине запрещенной зоны, при проведении инжекционной модификации
3.4. Влияние протонного облучения на инжекционно
модифицированные МДП-структуры 8Г8Ю2-ФСС-А1
Выводы к главе
Глава 4. Моделирование процессов накопления и стекания зарядов при инжеционной модификации МДП-структур 8ь8Ю2-ФСС-А1
4.1. Моделирование процессов накопления положительного заряда в МДП-структурах 8н8Ю2-А1 в условиях сильнополевой туннельной инжекции при различных температурах
4.2. Моделирование процессов изменения зарядового состояния при инжекционной модификации многослойных диэлектрических слоев МДП-структур 8Г8Ю2-ФСС-А1
4.3. Моделирование стекания инжекционно стимулированного
заряда заряда МДП- структур
Выводы к главе
Глава 5. Инжеционная модификация в производстве МДП-ИМС и исследование приборов на основе инжекционно модифицированных
слоев
5.1. Способ изготовления МДП-транзисторов на основе инжекционно модифицированных многослойных диэлектрических слоев

5.2. Инжекционная модификация МДП-приборов и ИМС методом квазипостоянного тока
5.3. Исследование температурной стабильности ИМС на основе инжекционно модифицированных диэлектрических слоев
, Выводы к главе
Заключение.'Основные результаты и выводы
Список литературы
Приложения

ЧЧ 11 I
Рис.2.1. Зависимости токовой нагрузки (а) и высоковольтного участка напряжения, падающего на МДП-структуре, (б) от времени при использовании метода постоянного тока:
1 - измеряемая зависимость;
2 - теоретическая зависимость при условии отсутствия генерации положительного заряда на участке 1о-И'0