Диссипативные процессы в оптических средах на основе легированных кристаллов (Li,Na)F различной размерности

• Автор: Королева, Татьяна Станиславна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Бишкек
• Количество страниц: 395 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Сокращения и условные обозначения

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы

Связь темы с планами научных работ

Цель работы
Новизна

Практическая ценность:

Достоверность и обоснованность результатов

Автор защищает:

Личный вклад автора
Апробация работы
ГЛАВА 1. СИНТЕЗ КРИСТАЛЛОВ (ЕШЛ)Е РАЗЛИЧНОЙ
РАЗМЕРНОСТИ, АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ
1Л. Большеразмерные монокристаллы
1.1.1. Синтез монокристаллов
1.1.2. Модели роста кристаллов
1.1.3. Теоретический расчет выращивания кристаллов методом Киропулоса
1.2. Волоконные монокристаллы
1.2.7. Синтез волокон методом микровытягивания
1.2.1Л. Модель роста р-РЭ волокон
1.2Л.2. Примеры выращивания
1.2.1.3. Формирование дополнительной конденсированной фазы
на поверхности кристалловолокон
1.2.2 Синтез волокон методом лазерного разогрева
1.2.2.1. Модель роста ЬНРО волокон
1.3. Наноразмерные КРИСТАЛЛЫ
1.3.1. Синтез нанокристаллов
1.3.2. Аппаратура метода лазерной абляции
Выводы к Главе
ГЛАВА 2 АППАРАТУРА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННООПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ И АТТЕСТАЦИЯ ОБРАЗЦОВ
2.1. Приборы и аппаратура для исследования образцов
2.1.1 Аппаратура для аттестации синтезированных
кристаллов
2.1.2. Экспериментальные установки для радиационной
модификации свойств кристаллов

2.1.3. Аппаратура для исследования спектров оптического
пропускания и поглощения
2.1.4. Аппаратура для измерение спектров люминесценции
2.1.5. Статистическая достоверность результатов
экспериментов
2.2. Аттестация большеразмерных монокристаллов
2.2.1. Аттестация методом импульсного сильноточного
возбуждения
2.2.2. Определение состава и местоположения примесей методом Резерфордовского обратного рассеяния
2.2.3. Анализ спектров POP
2.3. Волоконные монокристаллы
2.3.1. Вакансионно-дислокационная модель
2.3.2. Кластерная модель
2.3.3. Распределении примесных ионов урана в
кристалл о волокнах фторида лития и натрия
2.3.4. Структура поверхности волокон
2.3.5. Модели структуры поверхности волокон
2.4. Наноразмерные кристаллы
Выводы к Главе
ГЛАВА 3. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ
ФОТОСТИМУЛЯЦИИ
3.1. Оптическое пропускание
3.1.1. Взаимодействие светового потока с твердым телом
3.1.2. Особенности спектров оптического пропускания
образцов различной размерности
3.2. Процессы люминесценции в твердых телах
3.2.1. Спектры фотолюминесценции
3.2.2. Спектры возбуждения люминесценции (СВЛ)
3.2.3. Рентгенолюминесценция
Выводы к Главе
ГЛАВА 4. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ
ПУЧКОВ КОРПУСКУЛЯРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
4.1. Катодостимулированные процессы
4.1.1 .Взаимодействие электронных пучков с твердым
телом
4.1.2. Генерация дефектов при стимуляции пучком
электронов
4.1.3. Распределение энергии облучения по глубине образца
4.1.4. Эволюция возбуждений при стимулировании пучком
электронов
4.1.5. Катодолюминесценция

4.2. Ионостимулированные процессы
4.2.1. Взаимодействие ионных пучков с твердым телом
4.2.2. Генерация дефектов при ионостимуляции
4.2.3. Эволюция возбуждений при ионостимуляции
4.3. Особенности оптических свойств кристаллов с ПРИМЕСЬЮ ЕВРОПИЯ
Выводы к Главе
ГЛАВА 5. ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ СВЕЧЕНИЯ
5.1. Механизмы передачи энергии к урановым центрам свечения
5.2. Модели примесных кластеров
5.3. Модели центров свечения урана
5.3.1. Критерии адекватности результатов моделирования
5.3.2. Моделирование СЛ набором независимых полос
5.3.3. Моделирование СЛ набором пиков с зависимыми
позициями
5.3.4. Анализ результатов моделирования
5.3.5. Расчет параметров распределений
5.3.6. Вычисление интегралов свертки
Выводы к Главе
ГЛАВА 6. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ
ТЕРМОСТИМУЛЯЦИИ
6.1. Механизмы ТСЭЭ- и ТСЛ-процессов
6.2. Синхронно измеренные спектры ТСЭЭ и ТСЛ
кристаллов различной размерности
6.2.1. Термостимулированные процессы в полноразмерных
кристаллах
6.2.2. Термостимулированные процессы в волоконных
кристаллах
6.2.3. Термостимулированные процессы в наноразмерных
кристаллах
6.3. Термостимулированные процессы с признаками
взрывной электронной эмиссии
6.3.1. Механизм термостимулированной взрывной
электронной эмиссии
Выводы к Главе
Заключение
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
П. 1. Новые рабочие вещества и рабочие среды
П.1.1. Материал для термолюминесцентной дозиметрии

кристалловопокна
| ] * а - подаод затравки к зоне
расплава
Ь - начальный этап роста
волокна
с - - волокно в процессе роста
1.2.1.1. Модель роста р-РЭ волокон
Рост р-РО кристаллов в рамках предлагаемой модели можно условно разделить на несколько стадий.
Стадия I. Расплав шихты. На этой стадии заложенный в тигель твердый материал шихты разогревают до плавления. Полученный расплав заполняет тигель, в том числе и капилляр, удерживаясь в последнем за счет сил поверхностного натяжения на границе раздела фаз расплав-капилляр-воздух. Свободная поверхность расплава в капилляре представляет собой сферу радиуса /?, ограниченную контуром (/.) в виде окружности с радиусом капилляра г = Л31П Р (рис. 1.11).
На каждый бесконечно малый элемент длины этого контура <Л в направлении касательном к поверхности сферы действует сила поверхностного натяжения