Структура и электрические свойства гетерогенных систем на основе оксидных широкозонных полупроводников SnO2 и In2O3
- Автор:
Габриельс, Константин Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
168 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности зарядового транспорта в редкоземельных гексаборидах PrB6, NdB6, GdB6 и Eu1-xCaxB6 | Анисимов, Михаил Александрович | 2011 |
| Фазовые переходы и процессы релаксации в бессвинцовых керамических материалах Bi(B'B")O3, где B'=Li, Co, Ni, Mg, Zn; B"=Sb, W | Толстых, Никита Александрович | 2012 |
| Влияние структурных искажений на магнитные фазовые переходы в арсениде марганца и сплавах на его основе | Галкина, Елена Григорьевна | 1984 |