Влияние микроструктуры эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7-x на их электрофизические и нелинейные СВЧ свойства

• Автор: Барышев, Сергей Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 161 с. : ил.

Глава I.
Физические свойства высокотемпературного сверхпроводника УВдгСиэО/.* (Литературный обзор)
1.1. Физические свойства высокотемпературного сверхпроводника УВазСизОу.х в области температуры сверхпроводящего перехода

1.1.1. Взаимодействие ¥Ва2Сиз07.х с СВЧ излучением

/. Поверхностный импеданс

П. Нелинейные свойства

1.1.2. Электрофизические свойства ¥Ва2Сщ07.х

1.2. Физические свойства высокотемпературного сверхпроводника УВазСщОу.х в нормальной фазе

3.3. Высокотемпературные сверхпроводниковые болометры:

современные конструктивные решения и достигаемые предельные параметры

1.4. Постановка задачи

Глава II.
Методика эксперимента
2.1. Технология изготовления эпитаксиальных пленок УВа2Сщ07.х
2.1.1. Технология магнетронного рабпыления
2.1.2. Технология лазерного напыления
2.2. Методика рентгеноструктурного дифракционного анализа
2.3. Зондовые методы
2.3.1. Метод ближнепольной СВЧ микроскопии
2.3.2. Метод низкотемпературной сканирующей микроскопии
2.4. Метод измерения шумовых характеристик сверхпроводниковых пленок для режима с постоянным током смещения

Глава III.
Влияние микроструктуры эпитаксиальных пленок YBa2Cii30%x на их электрофизические и нелинейные СВЧ свойства в области температуры сверхпроводящего перехода
3.1. Экспериментальные результаты: корреляция структурных и сверхпроводящих параметров
3.1.1. Нелинейные СВЧ параметры
3.1.2. Электрофизические параметры
3.2. Теоретическое описание экспериментальных зависимостей: модель двухфазного сверхпроводника
3.2.1. Общая формулировка модели двухфазного сверхпроводника
3.2.2. Модификация модели для случая различных критических токов
3.2.3 Модификация модели для случая различных критических температур
3.2.4. Расчет предельных критических параметров модели
Глава IV.
Влияние микроструктуры эпитаксиальных пленок 'Ва2Счз02.х на их электрофизические свойства в нормальной фазе
4.1. Экспериментальные результаты: корреляция структурных и транспортных
свойств
4.2. Теоретическое описание экспериментальных зависимостей: модель U-минус центров
4.2.1. Общие положения модели U-мипус центров
4.2.2. Применение концепции U-минус центров для интерпретации холловских измерений (расчет температурной зависимости концентрации носителей заряда)
4.2.3. Применение концепции U-минус центров для расчета температурной зависимости удельного сопротивления р(Т)
Глава V.
Структурные, шумовые и электрофизические свойства эпитаксиальных ВТСП пленок УВа2Сиз07.х и болометров для абсолютного измерения мощности синхротронного излучения мягкого рентгеновского диапазона на их основе
5.1. Устройство чувствительного элемента ЇВСО болометра с электрическим замещением
5.2. Теория высокотемпературного сверхпроводникового болометра с учетом электротепловой обратной связи
5.3. Структурные, шумовые и электрофизические свойства эпитаксиальных ВТСП пленок ЇВа2Си307.х
5.4. Расчетное моделирование рабочих характеристик высокотемпературного сверхпроводникового болометра на основе эпитаксиальных пленок
ЇВа2Си307.х
Заключение
Литература
Список публикаций автора по теме диссертации

гауссовой функцией, полуширина которой имеет определенное значение для каждого конкретного образца, и может являться дополнительным подгоночным параметром модели.