Эффекты гиротропии и киральности в резонансном поглощении и дифракции рентгеновского излучения

• Автор: Козловская, Ксения Александровна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 131 с. : ил.

Оглавление
Введение

1 Литературный обзор

1.1 Тензорный атомный фактор

1.2 Явление рентгеновского естественного кругового дихроизма (ХИСО)

1.2.1 Явление естественного кругового дихроизма в оптике видимого диапазона

1.2.2 Феноменологический подход к описанию естественного рентгеновского кругового дихроизма

1.2.3 Пространственные группы, допускающие существование ХИСО

1.2.4 Экспериментальное наблюдение ХИСЭ

1.3 Чисто резонансные рефлексы в резонансной дифракции

рентгеновского излучения

1.3.1 «Запрещенные» чисто резонансные рефлексы
1.3.2 Чисто резонансные рефлексы, связанные с кирально-стью положений резонансных атомов
1.3.3 Поляризационные свойства чисто резонансных рефлексов

1.4 Методы расчета энергетических спектров поглощения и рассеяния ренттеновского излучения
2 Диполь-квадрупольное резонансное рассеяние рентгеновского излучения и эффективные операторы
2.1 Феноменологическое рассмотрение диполь-квадрупольного
вклада в тензорный атомный фактор
3 Исследование кругового рентгеновского дихроизма в кристалле СбСиСіз
3.1 Кристалл СвСиСІз
3.2 Численное моделирование спектров естественного кругового
дихроизма в СєСиСІз
3.3 Описание эксперимента
3.4 Интерпретация эксперимента
4 Изучение киральности кристаллов с помощью резонансной дифракции синхротронного излучения
4.1 Феноменологические выражения, описывающие диполь-
квадрупольный вклад в чисто резонансные рефлексы
4.1.1 Компоненты тензорной структурной амплитуды чисто резонансных рефлексов типа
4.1.2 Поляризационные свойства чисто резонансных рефлексов типа 00£
4.2 Феноменологические выражения, описывающие поляризаци-
онные свойства чисто резонансных рефлексов в кристалле СвСиСІз

4.3 Численное моделирование энергетического спектра поглощения и азимутальной зависимости рефлексов типа
00/, I = 6п ± 2 в кристалле СвСиСЛз
4.4 Резонансная дифракция рентгеновского излучения в монокристалле теллура
4.5 Феноменологические выражения, описывающие поляризационные свойства чисто резонансных рефлексов в кристалле Те
4.6 Численное моделирование энергетического спектра поглощения и азимутальной зависимости рефлексов типа
00/, / = Зп ± 1 в кристалле Те
4.7 Запрещенные отражения в эсколаите, обусловленные магнитным диполь-квадрупольным вкладом в резонансный структурный фактор
Основные результаты и выводы

Рис. 1.8: Схема эксперимента по исследованию резонансной дифракции синхротронного излучения.
стал благодаря использованию синхротронов в качестве источников излучения, так как они сочетают в себе большую яркость и высокую степень поляризации с возможностью настраиваться на нужную длину волны.
В настоящее время резонансная дифракция рентгеновского излучения реализуется на специально оборудованных станциях синхротронного излучения (СИ). Обязательными элементами таких станций являются: монохроматор, обеспечивающий возможность изменения длины падающей волны и вырезающий узкую линию с необходимым разрешением; многокружный дифрактометр, позволяющий вращать кристалл вокруг разных осей; детектор. Падающее синхротроннеє излучение является поляризованным, что позволяет проводить поляризационные измерения, то есть исследование рассеяния и прохождения волн различных поляризаций. Для этого в схему включается кристалл-анализатор. Принципиальная схема по исследованию спектра резонансной дифракции в геометрии рассеяния изображена на рис. 1.8.
Подобная схема эксперимента позволяет исследовать энергетический спектр брэгговских рефлексов, то есть зависимость интенсивности отра-