Электронный транспорт в разветвленных нитевидных нанокристаллах InAs

• Автор: Суятин, Дмитрий Борисович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 159 с. : ил.

Список сокращений

АСМ - атомно-силовой микроскоп

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ДЭГ - двумерный электронный газ

ПЖК - пар-жидкость-кристалл

ПКК - пар-кристалл-кристалл

ПММА - полиметилметакрилат

ПЭМ - просвечивающий электронный микроскоп

РЭМ - растровый электронный микроскоп

Б08 - плотность состояний

1пАб - арсенид индия

ТМ1п - триметилиндий
ТВАэ - тетрабутиларсин
(МН4)28Х - полисульфид аммония
А - площадь сечения нитевидного нанокристалла
а - постоянная кристаллической решетки
А- наблюдаемая в РЭМ ширина нитевидного нанокристалла
е - элементарный электрический заряд
Е - энергия
Еа - энергия активации
- ширина запрещенной зоны Ер - энергия Ферми £о - электрическая постоянная £ - относительная диэлектрическая проницаемость gs - величина вырождения состояний электрона по спину к - постоянная Планка Й - приведенная постоянная Планка I - сила тока
А' - скорость химической реакции

к - постоянная Больцмана
Ь - длина нитевидного нанокристалла между контактными проводниками
1т/р - длина свободного пробега электрона
т0 - масса электрона
т* - эффективная масса электрона
р - подвижность электронов
рР - химический потенциал
рь рК, рс — электрохимические потенциалы на левом, правом и центральном контактах соответственно Ы- концентрация электронов Ж/ - число Авогадро
Я - электрическое сопротивление нитевидного нанокристалла р - удельное сопротивление а- проводимость нитевидного нанокристалла Т- температура
Т - функция передачи электронов г - время термализации носителей
V - напряжение
Уь - напряжение на левом контакте трехконтактного соединения Рд - напряжение на правом контакте трехконтактного соединения Ус - напряжение на центральном контакте трехконтактного соединения
V - скорость электрона
- фермиевская скорость электрона

Оглавление
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
1.2. НИТЕВИДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ
1.2.1. Синтез нитевидных нанокристаллов
1.2.2. Исследования свойств нитевидных нанокристаллов
1.2.3. Наноэлектронные элементы на основе нитевидных нанокристаллов
1.2.4. Свойства InAs и нитевидных нанокристаллов InAs
1.3. МЕЗОСКОПИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОВОДОВ
1.3.1. Макроскопические и мезоскопические соединения
1.3.2. Баллистический транспорт
1.3.3. Квантовые эффекты в баллистических соединениях
1.3.4. Экспериментальное изучение мезоскопических соединений
1.3.5. Электронные элементы на основе мезоскопических соединений
1.4. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ГЛАВА 2. МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. НИТЕВИДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ InAs
2.1.1. Установка химической пучковой эпитаксии
2.1.2. Синтез нитевидных нанокристаллов InAs

Рисунок 1.2. (а) Схема трехконтактного соединения типа «звезда» с адиабатическими границами [Хи, 2001]. (б) Эквивалентная электрическая схема для соединений диффузионных проводников типа «звезда».
Г"0 О I г* і I > О О-і
4г I
Рисунок 1.3. Эквивапентная электрическая схема при измерении напряжения в соединениях трех диффузионных проводов типа «звезда».