Влияние легирования хромом на релаксационные процессы в монокристаллах SBN-61

• Автор: Пилипенко, Анатолий Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Волгоград
• Количество страниц: 127 с. : ил.

ГЛАВА 1. РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ. ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ, ОПИСЫВАЮЩИЕ ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ОБЛАСТИ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В

РСЭ, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1 Релаксорное состояние

1.2. Модельные представления

1.3. Исследования микроструктурных характеристик РСЭ

1.3.1. Рентгенографический анализ РСЭ

1.3.2. Высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ)

1.4. Характеристика SBN как объекта с РФП

1.4.1. Кристаллическая структура

1.4.2. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов семейства SBN

1.4.3. Диэлектрические свойства кристаллов SBN в слабых полях

1.4.4. Диэлектрические свойства кристаллов SBN в сильных полях
1.4.5. Исследования доменной и кристаллической структуры SBN
1.4.6. Влияние легирования на свойства SBN
1.5. Выводы
ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА, МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ
2.1. Экспериментальные установки для исследования диэлектрического отклика образцов
2.2. Установка для измерения акустических параметров образцов
2.3. Система стабилизации и измерения температуры
2.4. Режимы измерений
2.5. Образцы

ГЛАВА 3. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ SBN-61 В СЛАБЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ
ПОЛЯХ
ЗЛ. Частотно-температурные зависимости диэлектрической проницаемости монокристаллов SBN:Cr в области фазового перехода
3.2. Частотно-температурные зависимости диэлектрической проницаемости монокристаллов SBN:Cr в области температур, лежащих ниже комнатной
3.3. Температурные зависимости акустических параметров монокристаллов SBN:Cr
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ SBN-61 ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПЕРЕМЕННЫХ ПОЛЕЙ РАЗЛИЧНОЙ АМПЛИТУДЫ
4.1. Петли поляризации в монокристаллах SBN:Cr
4.2. Температурно-полевые зависимости поляризационных характеристик монокристаллов SBN:Cr
4.2.1. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери SBN:Cr в сильных полях
4.2.2. Поведение остаточной поляризации в SBN:Cr
4.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ I. ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА, В КОТОРЫХ
ОПУБЛИКОВАНЫ ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА
МОСТА ИНФРАНИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. ПРИНЦИ ПИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА ТЕРМОСТАБИЛИЗАТОРА
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. МОДИФИЦИРОВАННАЯ СХЕМА СОЙЕРА-ТАУЭРА: ОБЩАЯ СХЕМА И ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ СОСТАВНЫХ
БЛОКОВ
ПРИЛОЖЕНИЕ 5. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА СМЕСИТЕЛЯ И БЛОКА ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНОЙ РАЗВЕРТКИ
Первоначальная считывающая программа была написана разработчиками адаптера и доработана В.Н. Нестеровым [97] путем создания табличного опроса имени файла, температуры, состава образца и положения тумблеров модифицированной схемы Сойера-Тауэра, а позднее - Р.А. Лалетиным [98].
На форму петли гистерезиса оказывают влияние входное сопротивление регистрирующей аппаратуры К.вх (например, осциллографа) и сопротивление утечки Ыо конденсатора Со, в цепи СоСх, где Сх - емкость исследуемого образца. Оба эти фактора не должны оказывать заметного влияния на амплитуду и фазу тока в цепочке С0СХ, что выполняется при условии, когда сопротивление образца Хсх много меньше сопротивления параллельной цепочки КвхКо.
Это условие, легко выполнимое при V > 10 Гц, вызывает серьезные затруднения при ИНЧ (при V = 0.1 Гц, Сх = 1.0 нФ, ХСх = 1.33 ГОм). Для обеспечения возможности измерений на этих частотах в составе модифицированной установки Сойера-Тауэра в качестве входного каскада регистрирующего прибора использовался усилитель канала У с 11вч > 10 ГОм и с переменным коэффициентом усиления (1 -г 1000), усилитель канала X с делителем на входе и широкополосным фазовращателем, а также цепи коммутации и блок эталонных конденсаторов, позволяющий оперативно определить емкость образца Сх методом замещения [92]. Принципиальные электрические схемы модифицированной установки Сойера-Тауэра (усилителя канала У и канала X с фазовращателем), а также высоковольтного усилителя представлены в приложении 4.
Основные диэлектрические характеристики в этих случаях получены методом, который был описан и применен при изучении СЭ в [99] по следующим формулам: