Коллективные эффекты в процессах рассеяния электромагнитного поля релятивистских электронов в конденсированных структурированных средах

• Автор: Жукова, Полина Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Белгород
• Количество страниц: 274 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Энергодисперсионные методы исследования атомной структуры вещества на основе измерения характеристик рассеянного в изучаемом образце синхротронного излучения
1.1. Модификация метода Цернике - Принса определения радиальной функции распределения атомов в конденсированном макроскопически однородном веществе
1.2. Энергодисперсионный вариант метода Дебая - Шеррера для диагностики кластеров в мелкодисперсных средах
1.3. Метод определения функции распределения зерен мозаичного кристалла по углам ориентации с помощью широкополосного синхротронного излучения
Глава 2. Модифицированный энергодисперсионный метод г диагностики атомной структуры вещества
2.1. Использование ПТИ релятивистских электронов для структурной диагностики
2.2. Метод измерения межплоскостных расстояний в поликристаллах на основе ПТИ
2.3. Аномальный пик ПТИ релятивистских электронов,
движущихся в поликристалле
2.4. Аномальный пик ПТИ релятивистских электронов,
движущихся в аморфной среде. Определение радиальной функции распределения атомов
2.5. Аномальный пик ПТИ релятивистских электронов,,
движущихся в ультрамелкозернистом твердом теле. Определение размера зерен

Глава 3. Влияние дисперсии диэлектрической проницаемости мишени на свойства ПРИ
3.1. Модификация эффекта аномального поглощения в процессе параметрического излучения релятивистских электронов в условиях реализации явления Вавилова-Черенкова
3.2. Параметрическое рентгеновское излучение вдоль скорости излучающего электрона в условиях проявления черенковского эффекта
3.3. Аномальные свойства квазичеренковского излучения в геометрии рассеяния Брэгга
Глава 4. Особенности ПРИ, обусловленные влиянием геометрии эксперимента
4.1. Эффект усиления выхода ПРИ в режиме скользящего падения излучающих электронов на поверхность кристалла
4.2. Эффект монохроматизации рефлекса ПРИ в условиях удаленности от брэгговкого резонанса
4.3. Подавление эффекта плотности в параметрическом рентгеновском излучении
Глава 5. Радиационные процессы в кристаллах, подверженных воздействию акустической волны
5.1. Влияние акустической волны на параметрическое рентгеновское излучение релятивистских электронов в кристалле
5.2. Кинематическая дифракция немонохроматических расходящихся рентгеновских пучков в кристалле с периодически деформированной решеткой
5.3. Модифицированная схема кристаллического ондулятора

Глава 6. Влияние многократного рассеяния излучающих электронов на свойства параметрического рентгеновского излучения
6.1. Влияние многократного рассеяния на характеристики параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов
6.2. Аномальные свойства наблюденного параметрического рентгеновского излучения вдоль скорости релятивистских электронов
Глава 7. Особенности когерентного тормозного излучения релятивистских электронов в кристаллах
7.1. Влияние многократного рассеяния на характеристики КТИ электронов с энергией до десятков МэВ
7.2. Рентгеновское КТИ релятивистских электронов в ориентированных кристаллах
7.3. Тормозное излучение релятивистских электронов в текстурированном поликристалле
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

где учтен разброс падающего фотонного пучка по углам и частотам. С учетом статистической независимости фотонов и отсутствия поляризации пучка входящие в (9) величины удовлетворяют соотношениям
Щ=0, (т)Г(е2)) = /Ж)5ф{-в2 (ею]Е*ю1)ЛЁа2Зл (Ю)
Выражение для Фурье-образа рассеянной волны, следующее из (4) в первом приближении по флуктуационной составляющей функции отклика, имеет вид

Е$ = 7Т~ 2 й*в - к)^(еу - к —^~)Ещ (11)
к б) Б j=z 1 О) Б
Результат (11) позволяет стандартным способом получить формулу для спектрально-углового распределения рассеянного излучения. Учитывая (10), получаем
=2А4И2 ^ЧШ)(р(^(й, - й5))|2}(1 + (и8п,.)2) (12)
Здесь скобки означают усреднение по координатам атомов, составляющим мишень, а также по ориентациям зерен наноструктурированой мишени. Для дальнейшего анализа введем в рассмотрение угловые переменные, описывающие распределения по углам падающего и отраженного пучков в соответствии с Рис. 1.