Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия

• Автор: Корулин, Александр Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 133 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ :
1 РАДИАЦИОННО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В СаИ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
1.1 Радиационно-физические процессы в ОаИ под воздействием различных видов ионизирующего излучения
1.2 Ядерное легирование полупроводников
2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Методика измерения электрофизических свойств тонкопленочных образцов.' нитрида галлия
2.1.1 Цель измерений
2.1.2 Сущность метода измерений
2.1.3.Оцениваемые характеристики и нормы для показателей точности
2.1.4 Операции подготовки к измерениям
2.1.5 Порядок проведения измерения удельного электрического сопротивления, концентрации и подвижности основных носителей заряда на установке "НМБ 3000"
2.1.1 Измерение удельного электрического сопротивления высокоомных образцов ваХ двухконтактным методом с помощью электрометра
2.2 Методика измерения структурных свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия
2.2.1 Выбор условий рентгенографического эксперимента
2.2.2 Приготовление образцов. Проведение рентгенографических съемок
2.2.3 Расчет параметров элементарных ячеек кристаллов
2.3 Методика измерения емкостных параметров и спектров глубоких уровней тонкопленочных образцов нитрида галлия
2.3.1 Общее описание прибора
2.3.2 Краткое описание модулей
2.3.3 Главное окно программы
2.3.4 Основные характеристики емкостного (БЬТБ) спектрометра
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
3 ПРОВЕДЕНИЕ РАСЧЕТА КОЛИЧЕСТВА ПЕРВИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В ОаЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ В РЕАКТОРЕ ВВР-ц
3.1 Быстрые нейтроны
3.2 Тепловые нейтроны
3.3 Гамма-излучение реактора
3.4 Полное число смещенных атомов
4 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
4.1 Зависимость электрофизических параметров монокристаллов ОаЫ от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и температуры отжига
4.1.1 Ядерное легирование
4.2 Зависимость электрофизических параметров монокристаллов ОаИ от дозы электронного облучения и температуры отжига
5 СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
5.1 Зависимость параметров элементарной ячейки ваЫ от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и температуры отжига

6 ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И СПЕКТРЫ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
ОБРАЗЦОВ ЦаИ
6.1 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры отжига на емкостные параметры нитрида галлия
6.2 Влияние облучения высокоэнергетическими электронами и температуры
отжига на емкостные параметры нитрида галлия
7 ЭЛЕМЕНТЫ ТЕХНОЛОГИИ
7.1 Характеристики исходного сырья
7.2 Подготовка образцов к облучению
7.3 Упаковка и загрузка образцов в облучательное устройство
7.4 Облучение образцов в реакторе ВВР-ц
7.5 Разампулировка блок-контейнеров идыгрузка образцов
7.6 Дезактивация облученных образцов
7.7 Дозиметрический контроль
7.8 Подготовка облученных образцов к отжигу
7.9 Отжиг
7.10 Измерение электрофизических параметров
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список используемых источников

- Съемка дифрактограмм - в автоматическом режиме методом со/20 по точкам, с шагом детектора 0,01 °(20), экспозиция 10 сек/точку;
- Файлы собираемой информации записывались на жесткий диск компьютера и обрабатывались с помощью электронных таблиц Exel и программы Origin 6.1.
Основной измеряемой величиной при определении параметров элементарной ячейки является угол отражения 0. Он связан с длинной волны рентгеновского излучения X и с!ыс1 - межплоскостным расстоянием (для плоскости с индексом Ьк1)- уравнением Вульфа-Брегга:
Относительная погрешность определения dhki находится путем дифференцирования уравнения (2.2):
Рисунок 2.8 - Дифрактометр ДРОН-ЗМ.
2dhki sin в = пЛ,
(2.2)
(2.3)