Особенности электродинамического поведения композитных сверхпроводников с высокодисперсной структурой

• Автор: Дегтяренко, Павел Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 102 с. : ил.

Содержание
Введение
1 Современное состояние исследований электродинамики низко- и высокотемпературных композитных сверхпроводников
1.1 Низкотемпературные композитные и гранулярные сверхпроводники
1.2 Высокотемпературные сверхпроводники
1.3 Перколяция в сверхпроводниках
1.4 Заключение
2 Образцы и методика измерений
2.1 Экспериментальные подходы
2.2 Методика исследования образцов
2.2.1 Низкотемпературные композиты СиЫЬ с высокодисперсной
структурой
2.2.2 Высокотемпературные сверхпроводящие ленты 2-го поколения
3 Экспериментальное исследование особенностей электродинамических характеристик низкотемпературных композитов СиІУЬ с высокодисперсной структурой
3.1 Экспериментальные данные, полученные в результате измерений
3.2 Анализ и обсуждение. Предполагаемые модели
4 Особенности теплового и электродинамического поведения ВТСП лент 2-го поколения
4.1 Особенности термической устойчивости ВТСП лент 2-го поколения
при многократных перегрузках
4.2 Поведение ВТСП лент 2-го поколения при протекании
переменного тока
Основные выводы
Список литературы
Список печатных работ автора по теме диссертации
Список обозначений и сокращений
НТСП - низкотемпературные сверхпроводники ВТСП - высокотемпературные сверхпроводники
БКШ - микроскопическая теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шрифера
ЯВСО - сверхпроводящее соединение системы УВа2СизС>7.б Тс — критическая температура X - динамическая магнитная восприимчивость
у' - действительная часть динамической магнитной восприимчивости
X" - мнимая часть динамической магнитной восприимчивости
;с - критическая плотность тока
Е - напряженность электрического поля
Н— напряженность магнитного поля
Ф - поток индукции магнитного поля
В - индукция магнитного поля
— длина когерентности
X - лондоновская глубина проникновения
ЯС1 - первое критическое поле
#с2 - второе критическое поле
кР — поле проникновения
% — поверхностный импеданс
Максимум в Л (Я) достигается за счет увеличения статического магнитного поля Я. Увеличение Я уменьшает кР и, в результате кР может стать сопоставимым с к при некоторой величине Я. При этом Л (Я) будет максимальным, в то время как его положение зависит от к. Анализируя формулы (2.11)-(2.16), можно предположить, что увеличение к приводит к смещению максимума в область более высоких магнитных полей. Если откалибровать график Л(Н) в единицах %п, то достаточно информации, чтобы определить ц и функцию 7с(цЯ).
Список необходимых уравнений включает в себя упрощенный анализ данных. Эти уравнения получены из вышеупомянутых для параметров критического состояния высокотемпературных образцов в единицах измеренного поверхностного сопротивления Л(Н').
Для пластин,
Здесь Нг— область Я где к = Л.Р(Я). Положительный знак в (2.21) используется в области Я < Ят, а отрицательный знак соответствует областям Я > Ят, где Ят поле в максимуме 32 (Н). Простой способ определить зна-
(2.19)
/с(цЯ) = Н < Н1 (2.20)
1ЛиЮ = ^х{1±[1-Л(Н)/Лтах]1/2} Н>Н1 (2.21)

(2.20)

чение Нг из соотношения Л(Н) = - Лтах Для цилиндров,

(2.22)
7с(цЯ) = X {1 + [1 - Л(_Н)/Лтах]1/2} Н<Ні (2.23)
;с(цЯ) = £- X {1 - [1 - Ж(Я)/5гтах]1/2} Н>Н1 (2.24)
Заметим, что для цилиндров поле Яг совпадает с Нт.