Влияние высокого гидростатического давления на дислокационную структуру анизотропных кристаллов содержащих межкристаллитные границы

• Автор: Рюмшина, Татьяна Алексеевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Донецк
• Количество страниц: 132 c. : ил

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Межкристаллитные границы
1.2. Анизотропия сжимаемости кристаллов в условиях высокого гидростатического давления
1.3. Пластическая деформация анизотропных кристаллов
1.4. Влияние высокого гидростатического давления
на структуру материалов
1.5. Постановка задачи
Глава II. МАТЕРИАЛЫ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Объекты исследования. Обоснование их выбора
2.2. Выращивание кристаллов
2.3. Методика подготовки образцов
2.4. Определение разориентации бикристаллов
2.5. Исследование дислокационной структуры кристаллов
2.6. Создание высокого гидростатического давления
и контроль за гидростатичностыо среды
2.7. Метод определения критического напряжения размножения пирамидальных дислокаций при деформировании кристаллов в условиях атмосферного давления
Глава III. ПЛАСТИЧЕСКАЯ. ДЕФОРМАЦИЯ: АНИЗОТРОПНЫХ БИКРИСТАЛЛОВ
ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВГД
3.1.Эволюция дислокационной структуры бикристаллов
, , под действием ВГД
3.2. Факторы, определяющие величину критического давления, необходимого для размножения дислокаций ,
3.3. Исследование стадии интенсивного размножения дислокаций
3.4. Образование областей аккомодации у двойниковых границ под действием ВГД
Резюме
Глава IV. ДВИЖЕНИЕ НЕКОГЕРЕНТНЫХ ДВОЙНИКОВЫХ ГРАНИЦ В ЦИНКЕ
ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВГД
4.1. Направление перемещения двойниковых границ
4.2. Движение некогерентных двойниковых границ под действием ВГД
4.3. Факторы, определяющие величину критического давления, необходимого для движения двойниковых границ
4.4. Исследование стадии интенсивного движения границ
4.5. Условия наблюдения движения двойниковых границ
Резюме
ПРИЛОЖЕНИЕ
Глава V. АНАЛИЗ НАПРЯЖЕННОГО СОСТОЯНИЯ ГИДРОСТАТИЧЕСКИ
СЖАТОГО АНИЗОТРОПНОГО БИКРИСТАЛЛА
5.1. Граничные условия в анизотропном бикристалле конечных размеров
5.2. Граничные условия для модели бесконечного трехмерного бикристалла
5.3. Определение тензора дополнительных напряжений в гидростатически сжатых кристалла цинка
5.4. Определение сдвиговых напряжений, действующих в системах скольжения
Резюме

Глава 71. ВЛИЯНИЕ ВГД НА ВЕЛИЧИНУ КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
РАЗМНОЖЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ
6.1. Влияние плотности дислокаций на величину критического напряжения размножения дислокаций в %п при деформировании в условиях атмосферного давления
6.2. Определение зависимости ((, ^ баз) дяя
гидростатически сжатого кристалла
6.3. Влияние ВГД на величину критического напряжения
размножения пирамидальных дислокаций
Резюме
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
Рис. 2.12. Внешний вид установки для создания высокого гидростатического давления.