+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Диэлектрические и электрооптические свойства сегнетоэлектрических жидких кристаллов с субмикронным шагом спиральной структуры

  • Автор:

    Молькин, Вадим Евгеньевич

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2011

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    62 с. : 72 ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Содержание.
Введение
Глава 1. Обзор литературы.
§1.1. Классификация полярных диэлектриков
§ 1.2. Современная классификация жидких кристаллов
§ 1.3. Антисегнетоэлектрики и промежуточные ферриэлектрические
смектические фазы
§ 1.4. Молекулярные аспекты сегнетоэлектричества и электрооптики
смектических жидких кристаллов
§ 1.5. Фазовый переход смектик А* - смектик С* и феноменологическая
теория жидкокристаллических сегнетоэлектриков
§ 1.6. Раскрутка спирали смектика во внешнем электрическом поле
§ 1.7. Электроуправляемое двулучепреломление в смектических
структурах
§ 1.8. Цвета электроуправляемого двулучепреломления
§ 1.9. Диэлектрическая спектроскопия смектиков
Заключение к главе
Глава 2. Методы исследования жидкокристаллических сегнетоэлектриков.
§ 2.1. Сборка жидкокристаллических ячеек
§ 2.2. Определение величины шага спирали геликоида смектических
жидких кристаллов
§ 2.3. Общая блок-схема эксперимента
§ 2.4. Методика электрооптических измерений.
2.4.1. Регистрация электрооптического отклика
2.4.2. Определение показателя двулучепреломления в фазе С* жидких кристаллов
§ 2.5. Методика диэлектрических измерений.
2.5.1. Измерение спонтанной поляризации методом интегрирования токов переполяризации
2.5.2. Статическая диэлектрическая восприимчивость
2.5.3. Определение критического поля раскрутки спирали
2.5.4. Идентификация типов сегнетоэлектрической упаковки
Заключение к главе
Глава 3. Разработка смектических жидких кристаллов с ультракоротким шагом спирали.
§3.1. Влияние диполей при асимметрических атомах углерода на
закручивающую способность хиральных структур
§ 3.2. Влияние продольного диполя ахиральной смектической С
матрицы на фазовое состояние смектических смесей
§ 3.3. Смектический жидкий кристалл с широким интервалом
температур антисегнетоэлектрической фазы
Выводы к главе
Глава 4. Поведение спиральной структуры смектика С* во внешнем электрическом поле.
§ 4.1. Сравнение экспериментальной и теоретической зависимостей статической диэлектрической восприимчивости спиральной
структуры смектика С* от электрического поля
§ 4.2. Разрушение спиральной структуры во внешнем электрическом

§ 4.3. Параметры электроуправляемого рассеяния света, возникающего
при разрушении спиральной структуры смектика С*
Выводы к главе 4

Глава 5. Электроуправляемая фазовая модуляция света в спиральных структурах СЖК.
§5.1. Экспериментальная проверка теории распространения света в
спиральной структуре
§ 5.2. Аналог коэффициента Керра спиральной структуры СЖК
§ 5.3. Две основные электрооптические моды спиральной
структуры СЖК
Выводы к главе
Глава 6. Диэлектрические и электрооптические свойства ферриэлектрических и антисегнетоэлектрических ЖК.
§6.1. Фазовый портрет жидкого кристалла МНРВС
§ 6.2. Фазовый портрет антисегнетоэлектричкеского ЖК АС-
§ 6.3. Электроуправляемое двулучепреломление в ферриэлектриках и
антисегнетоэлектриках
Выводы к главе
Заключение
Список литературы

9j (T, E) - —г~—— при Т>ТС а0(Т-Тс)
uF (1'24)‘
9^Г’Е)=2 аЖ~Т) ПРИТ<Тс
Используя определение диэлектрической восприимчивости (1.5) и полученные соотношения (1.18), легко записать выражения для диэлектрической восприимчивости мягкой моды в приближении слабого поля:

Хо = ■ тл при Т>ТС
а0(Т-Тс)
1 м2 _ О-25)-
Хв = д- г— — при Т<ТС
2г0 а0 (Тс Т)
Таким образом, температурная зависимость диэлектрической восприимчивости мягкой моды в фазе А* в два раза слабее, чем в фазе С*, что является характерным результатом приближения среднего молекулярного поля.
Для случая сильного поля, который имеет место при
27 Ь/л
(1.26),
температурные зависимости индуцированного угла наклона записываются в виде:
при Т>ТС (1.27),
01(Т,Е) = з ^- а°£ Т). при Т<ТС (1.28).
V ъ у з ъ
Очевидно, что в точке фазового перехода А*-С* и в некоторой её окрестности, зависящей от соотношения параметров /л, а 0 Ъ, Е, всегда

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.204, запросов: 967