Механизмы влияния ионной имплантации кремния, германия и фтора на свойства композиций SiO2/Si при воздействии ионизирующего излучения
- Автор:
Гуськова, Ольга Павловна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование возбужденной неравновесной электронно-дырочной плазмы в узкозонных полупроводниках | Ковалев, Андрей Станиславович | 2004 |
| Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона | Рубанов, Павел Владимирович | 2012 |
| Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии | Андреев, Борис Александрович | 2004 |