Механизмы влияния ионной имплантации кремния, германия и фтора на свойства композиций SiO2/Si при воздействии ионизирующего излучения
- Автор:
Гуськова, Ольга Павловна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4 | Потапов, Александр Васильевич | 1999 |
| Эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия | Руденко, Анатолий Александрович | 2007 |
| Синтез нанодисперсных пленок титаната свинца и карбида вольфрама методом импульсной фотонной обработки | Сербин, Олег Викторович | 2003 |