Угловые распределения фотоэлектронов вблизи порогов ионизации внутренних электронных оболочек молекул и твердых тел

• Автор: Фоминых, Наталья Георгиевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 131 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ И ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ГЛАВА 1. НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ И ЭКСПЕРИМЕНТА УГЛОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ
§1.Волновая функция фотоэлектрона
§2. Взаимодействие фотона с атомом, дипольное приближение, матричные элементы фотоионизации
§3. Фотоионизация молекул
§4. Дифракция электронов в твердом теле
ГЛАВА 2. ПРИМЕНЕНИЕ КВАЗИАТОМ! ЮЙ МОДЕЛИ К РАСЧЕТУ УГЛОВЫХ РАСПРЕДЕЛЕНИЙ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ
§1. Основные положения и приближения
§2. Метод фазовых функций в квазиатомной модели
§3. Спектральные особенности фотопоглощения и фотоионизации многоатомных систем в квазиатомной модели
§4. Учет анизотропии потенциала окружения
§5. Модельный потенциал окружения
ГЛАВА 3. УГЛОВОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ МЕДЛЕННЫХ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ
§1. Общая характеристика электронной дифракции в
квазиат омной модели
§2. Построение решеточных гармоник
§3. Моделирование дифракции медленных фото- и Оже-электронов

ГЛАВА 4. УГЛОВЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ВБЛИЗИ К-ПОРОГОВ ИОНИЗАЦИИ ОРИЕНТИРОВАННЫХ
ЛИНЕЙНЫХ МОЛЕКУЛ
§1. Симметрия задачи
§2. 1 $—>£&. В—>£ж угловые распределения фотоэлектронов вблизи
порогов ионизации молекул СО2 и СО
2.1. Параллельные переходы в молекуле СО2
2.2. Перпендикулярные переходы в молекуле СО %
2.3. Роль параметров модельного потенциала в образовании
АВР и извлечение информации из экспериментальных АВР
2.4. Параллельные переходы при ионизации В оболочек
атомов С и О в молекуле СО
ГЛАВА 5. УГЛОВЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОИОНОВ
ПРИ ИОНИЗАЦИИ ЛИНЕЙНЫХ МОЛЕКУЛ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ И ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.
Актуальность темы. Фотоэффект - один из фундаментальных физических процессов, изучение спектральных и угловых характеристик которого является важной научной задачей. Спектральная зависимость поглощения рентгеновского излучения и фотоионизации внутренних электронных оболочек молекул и твердых тел привлекает к себе пристальное внимание на протяжении нескольких десятков лет [1-13]. Разработаны надежные теоретические методики расчета параметров локальной электронной и атомной структуры вещества [8-9]. В частности, плодотворным оказывается учет генеалогической связи свободных состояний изучаемой твердофазной системы с состояниями образующих ее отдельных атомов или атомных группировок. Локализованный характер фотовозбуждения остовных уровней позволяет выделять квазимолекулярные и квазиатомные особенности в спектрах фотопоглощения твердых тел, что расширяет объем физикохимической информации, извлекаемой из экспериментальных данных [11-13,65,69].
Значительный прогресс, достигнутый в последние годы в экспериментальных методах исследования взаимодействия синхротронного излучения с веществом [14-19], сделал возможным изучение не только спектральных, но и угловых характеристик фотоионизации многоатомных систем. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют, что дифференциальное сечение фотоионизации очень чувствительно к электронной структуре исследуемого объекта в области низких кинетических энергий фотоэлектронов (Е— ЮОеУ). Вместе с тем, угловые характеристики процессов с участием электронов малых энергий, потенциально обладающие большой информативностью, трудно описывать

Рис.4.
Схематическое изображение электронной (рентгеновской) голографии.
(а) один из многих эквивалентных атомов возбуждается светом, испускает фотоэлектрон (либо флуоресцентный фотон), детектор регистрирует интерференционную картину', создаваемую исходной и рассеянными на соседних атомах волнами, в большом телесном угле; (б) обращенный во времени случай: когерентное излучение освещает и возбуждает атом-эмиттер либо напрямую, либо упруго рассеявшись на соседних атомах. Взято из работы [19].