Резонансный транспорт тока в сверхпроводящих переходах

• Автор: Гончаров, Денис Викторович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 147 с. : ил.

Глава 1 "Геометрический резонанс" в баллистическом SINIS
переходе1)
1.1 Гибридные переходы с полупроводниковым характером
проводимости области
"слабой связи"
1.2 Нормальное сопротивление SIN IS перехода в "чистом"
пределе
* 1.2.1 Одномерный случай
1.2.2 Трехмерный случай
1.3 Сверхпроводящие свойства SIN IS перехода в "чистом"
пределе
1.3.1 Трехмерный случай
1.3.2 Спектр андреевских состояний "чистого" SINIS перехода
1.3.3 "Чистый" SIN IS переход малой длины d, -С £0
1.4 Учет "геометрического резонанса" в теории сверхпроводящего полевого транзистора
1.5 Краткие выводы Главы
Глава 2 Теория туннелирования в 2D NID структурах
ОДля описания структуры переходов применяются условные обозначения: S - s-волновой сверхпро-водник, D - d-волновой сверхпроводник, N - нормальный металл, I - изолятор, Sm - полупроводник, с - сужение.

2.1 Особенности ВТСП и современные теории резонансного
транспорта тока в сверхпроводящих переходах
2.2 Модель перехода
2.3 Транспорт тока
2.3.1 Общее выражение для тока
2.3.2 Рекуррентные соотношения для фурье-компонент
электронных волн
2.3.3 Решения для фурье-компонент электронных волн
2.4 ZBA при резонансном туннелировании
2.5 Резонансное туннелирование при нулевом угле ориентации
ВТСП
2.6 Краткие выводы Главы
Глава 3 Резонансное джозефсоновское туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка
3.1 Модель перехода и функция Грина задачи
3.2 Транспортные свойства перехода
3.3 Частные случаи резонансного рассеяния
3.3.1 Общая формула резонансного тока для 2D DID переходов
3.3.2 SIS переходы разной размерности
3.3.3 Резонансное рассеяние в 2D SID переходе
3.3.4 Резонансный ток в 2D DID переходе
3.4 Краткие выводы Главы
Заключение
Приложение А Сопротивление длинного перехода в трехмерной модели
Приложение Б 2D одноэлектронное резонансное рассеяние

Приложение В Решение рекурентных уравнений для фурье-компонент волновых функций в 2D NID структуре
Приложение Г Функции Грина задачи резонансного транспорта тока в равновесных DID переходах
Список публикаций автора
Список литературы

позволяет увеличить важный для практических целей параметр 1сЯп. Полученные результаты позволяют теоретически предсказать область параметров, при которых характерное напряжение перехода будет максимальным.
Впервые исследована возможность применимости эффекта "геометрического" резонанса для создания сверхпроводящего полевого транзистора на базе 5/Лг/5' переходов. Показано, что в полевом транзисторе, работающем на эффекте "геометрического" резонанса можно получить коэффициент усиления приблизительно равный 0.4, что на два порядка выше значения, достигнутого в ЛОБРЕО структурах, работающих на эффекте полного вытеснения носителей заряда из сверхпроводящего канала. Таким образом, предложенную модель сверхпроводящего транзистора можно использовать в СКВИДах, например, для согласования оптимальных рабочих точек.