Анизотропия вторичной электронной эмиссии монокристаллов переходных металлов при средних энергиях электронов (дифракция и локализация электронов в кристаллах)

• Автор: Гомоюнова, Марина Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 388 c. : ил

Глава I. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ И УПРУГОЕ КОГЕРЕНТНОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКШ ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ

1.1. Вторичная электронная эмиссия

1.2. Специфика взаимодействия электронов с монокристаллами

Выводы

Глава II. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ СРЕД,НЕЙ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛАХ

2.1. Модели упругого когерентного рассеяния электронов периодическим потенциалом кристалла
2.2. Борновское приближение локализации электронов в приповерхностном слое монокристалла

2.3. Основы динамической теории дифракции электронов

2.4. Данные численных расчетов волнового поля электронов в приповерхностной области монокристалла на основе динамической теории дифракции электронов
2.5. Локализация электронов в кристаллах и теоретические работы по вторичной электронной эмиссии
Выводы
Глава III. ВТОРИЧНАЯ ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ
3.1. Модель внутренних источников и кинематическое приближение вторичной дифракции электронов
3.2. Динамическое приближение теории вторичной дифракции электронов
3.3. Феноменологическая модель квазиупругого рассеяния электронов монокристаллом и результаты численных расчетов вторичной дифракции электронов

Выводы
Глава ЗУ. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ АНИЗОТРОПИИ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ВЫХОДА ВТОРШНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
4.1. Экспериментальные способы исследования анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов
4.2. Изготовление и контроль монокристаллов переходных металлов
4.3. Экспериментальные установки для измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокрис таллов
4.4. Экспериментальная установка для исследования распределения анизотропии возбуждения вторичных электронов по спектру
4.5. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением
Выводы
Глава V. АНИЗОТРОПИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ВТ0РРІЧ -НОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ( МЬ , Мо и Л/ )
5.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
5.2. Зависимости коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов ^ и § от энергии первичных электронов
5.3. Влияние температуры на интегральные характеристики вторичной электронной эмиссии монокристаллов вольфрама и молибдена
5.4. Влияние угла падения первичных электронов на вторичную электронную эмиссию монокристалличе -ского вольфрама
5.5. Обсуждение результатов
Выводы

Глава VІ. АНИЗОТРОПИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ FA3НОЙ ЭНЕРГИИ
6.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
6.2. Распределение анизотропии возбуждения вторичных электронов по энергетическому спектру
6.3. Анизотропия возбуждения вторичных электронов характеристических энергий
6.4. Анизотропия возбуждения вторичных электронов, вылетающих вдоль нормали к поверхности кристалла
6.5. Анизотропия возбуждения вторичных электронов при изменении полярного угла падения первичных электронов
6.6. Обсуждение результатов
Выводы
Глава VП. АНИЗОТРОПИЯ ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
7.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
7.2. Анизотропия выхода упруго отраженных электронов
7.3. Анизотропия выхода электронов, отраженных с характеристическими потерями энергии
7.4. Анизотропия выхода вторичных электронов непрерывного спектра
7.5. Сравнение анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов и применимость теоремы обратимости к неупругому отражению электронов
7.6. Анизотропия выхода оже-электронов
7.7. Обсуждение результатов
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Кривая I построена согласно выражению (2.31), учитывающему все дифрагированные волны. Кривые 2 и 3 вычислены также на основе теории возмущений, однако с учетом только пяти и трех дифрагированных волн. Из сопоставления приведенных кривых непосредственно следует, что локализация электронов на атомных плоскостях, действительно, в значительной степени определяется многоволновыми эффектами.
В рассмотренной модели предполагалось, что атомные плоскости являются "жесткими" и колеблются как единое целое. Поэтому 0 не зависит от температуры. Но рассеивающие плоскости имеют атомное строение и предположение, что они колеблются как целое, тождественно допущению, что все атомы, из которых они построены, колеблются синхронно. В реальном случае фазы колебания отдельных атомов сдвинуты, и это приводит к "размытию" плоскостей и, следовательно, к уменьшению с ростом температуры локализации электронов на этих плоскостях.
Проиллюстрируем соотношение вкладов, вносимых в локализацию электронов на атомных плоскостях системы, рассмотренными механизмами УКР электронов, а также покажем, как меняется эта локализация при изменении параметров кристалла. Такие данные приведены на рис.2.3и 2.4. На рис.2.3 изображены зависимости полной элек-

от азимутального угла падения пучка при двух значениях межпло-скостного расстояния (X . При этом зависимость р(}РПад) рис.2.За тождественна кривой I рис.2.2. Кривые р(рис.2.4 а и б построены для отличающихся значений постоянной экранирования 3! и средней глубины выхода электронов . Хорошо видно, что определяющую роль в локализации электронов играет УКР их отдельными плоскостями системы. Брэгговский член, как уже указывалось, очень
тронной плотности р и отдельных ее составляющих Аро