Принципы построения электронно-оптических систем мощных электронных приборов и методы их численного проектирования

• Автор: Акимов, Павел Иванович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 400 с. : ил

Содержание
ВВЕДЕНИЕ
Гл. 1. Физические принципы и методы проектирования ЭОС с глубокой рекуперацией электронных пучков для электронно-лучевых приборов коммутирующего типа
Введение
1.1. Основные требования к ЭОС современных электронно-лучевых коммутирующих приборов и возможные пути построения ЭОС
1.2. Принципы построения систем глубокого торможения высокопер-веансных электронных пучков и создание модели «пирсовских» ЭОС с торможением пучка для приборов коммутирующего типа
1.3. Методика расчета «пирсовских» систем с глубоким торможением, результаты численных и экспериментальных исследований неравноплечных вариантов ЭОС
1.4. Построение ЭОС для ЭЛП с рекуперацией на основе пирсовских неравноплечных ЭОС с антидинатронным электродом
1.4.1. Разработка алгоритмов и основы построения программ синтеза ЭОС с глубоким торможением пучка на поверхность

1.4.2. Особенности расчета ЭОС с торможением и антидинатронным электродом

1.4.3. Оптимизация синтезированных ЭОС методом численного моделирования

1.5. Экспериментальные исследования вариантов ЭОС с антидинатронным электродом и возможные варианты построения коммутирующих приборов на основе неравноплечных ЭОС
Выводы

Гл.2. Принципы конструирования неравноплечных ЭОС с защитным электродом и создание методики инженерного расчета ЭОС мощных коммутирующих приборов типа ЭЛВ
Введение
2.1. Эффекты при введении в ЭОС с торможением защитного электрода. Роль защитного электрода в подавлении вторичной эмиссии с коллектора и влияние его на первичный пучок
2.2. Вопросы проектирования неравноплечных пирсовских систем с защитным электродом
2.3. Результаты численного проектирования и оптимизации систем глубокого торможения пучка с защитным электродом
2.4. "Триодные" варианты ЭОС с торможением на основе пирсовских ЭОС с защитным электродом
2.5. Методика инженерного расчета пирсовских неравноплечных систем для мощных коммутирующих приборов типа ЭЛВ
Расчет ЭОС с ленточными пучками для многолучевых ЭЛВ
Выводы
Гл.З. Анализ влияния вторичной эмиссии, отраженных электронов и ионов в системах с торможением пучка на коллекторные системы открытого типа
Введение
3.1. Алгоритмы учета вторичной эмиссии в программах численного анализа ЭОС
3.2. Расчет влияния вторичной эмиссии на распределение потенциала и глубину минимума в одномерных диодах с торможением
3.3. Анализ влияния вторичных электронов в пирсовских системах с антидинатронным или защитным электродами

3.4. Ионы в пирсовских системах с антидинатронным или защитным электродами
Выводы
Гл.4. Проблемы численного проектирования электронных пушек для мощных электронно-лучевых приборов
Введение
4.1. Проектирование ЭОС мощного пучково-плазменного СВЧ прибора с магнитным сопровождением пучка
4.1.1. Расчет и моделирование ЭОС пушки и системы магнитной транспортировки электронного пучка в ППП СВЧ
4.1.2. Численный анализ влияния встречного ионного потока на условия токоотбора и тепловой режим работы эмиттера в ЭОС ППП
4.2. Вопросы проектирования ЭОС для перспективных вариантов пучково-плазменных приборов
4.2.1. Возможности создания ионно-защищенных ЭОС для пучковоплазменных приборов
4.2.2. Проектирование ЭОС для «пакетированных» вариантов пучковоплазменных приборов с оптимизированными конструкциями фокусирующих магнитных систем.
4.3. Возможности использования ионного фона для повышения тока электронного пучка. Предельные токи в диоде с инжекцией ионов в промежутке анод-катод
Выводы
Гл. 5. Проектирования ЭОС инжекторов РЭП с высокой степенью компрессии пучка для электронно-лучевых устройств стационарного и квазиста-ционарного режимов работы
Введение

га и гакол - радиусы пучка в плоскостях анода пушки и анода области торможения.
С целью сравнения между собой различных вариантов неравноплечных систем с торможением пучка был введен параметр, характеризующий степень превышения протяженности междуэлектродного зазора в области торможения к длине промежутка катод - анод пушки. Величину такого параметра, названную коэффициентом неравноплечности системы, будем определять как отношение вышеупомянутых зазоров в области торможения и пушке в соответствии с выражением:
Для плоскосимметричных электронно-оптических систем с
Аналогичное соотношение для коэффициента неравноплечности электронно-оптических систем с торможением осесимметричных электронных пучков имеет вид:
К=(ККол-Какол)/(К-к-К.а)
(1.8)
торможением ленточных электронных пучков коэффициент
неравноплечности выражается соотношением:

) +[уа2+г2а-22/(9-Р(Ра))
(1.9)
(ра-1)п(ра)

г ■ (р -1 )-п(р )