Способы уменьшения интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте

• Автор: Исаев, Андрей Викторович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 143 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Список используемых сокращений
Введение
Глава 1. Анализ нелинейных эффектов, расчет и измерений характеристик ЭМС МШУ на биполярном транзисторе с гетеропереходом
1.1. Анализ формирования нелинейных эффектов третьего порядка в МШУ на НВТ
1.2. Расчет параметров эквивалентной схемы нелинейной модели
НВТ с помощью модели Гуммеля - Пуна
1.3. Моделирование и экспериментальное измерение ЭМС характеристик МШУ
1.3.1. Схемы МШУ на биполярном транзисторе с гетеропереходом, линейные характеристики
1.3.2. Характеристики блокирования и компрессии МШУ
1.3.3. Интермодуляционные характеристики МШУ
1.3.4. Выбор оптимальной по интермодуляционным характеристикам схемы смещения транзистора МШУ
Глава 2. Уменьшение интермодуляционных искажений в перестраиваемых полосовых фильтрах
2.1. Способы уменьшения интермодуляционных искажений
2.2. Результаты моделирования и эксперимента
2.3. Встречно-параллельные диоды в цепях управляющих напряжений
Глава 3. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте
3.1. Минимизация интермодуляционных продуктов входного тракта радиоприемника
3.2. Смесители
3.2.1. Балансный диодный смеситель
3.2.2. Двойной балансный диодный смеситель
3.2.3. Двойной балансный смеситель на полевых транзисторах
3.2.4. Активный смеситель на SiGe НВТ
3.3. Определение фазовых соотношений в тракте МШУ-смеситель
3.4. Оптимизация структуры входного тракта радиоприёмника
Глава 4. Автоматизированный измерительный комплекс
4.1. Измерение АЧХ, коэффициента усиления
4.2. Измерение характеристик блокирования и компрессии
4.3. Измерение интермодуляционных характеристик
4.4. Автоматизация измерений
Заключение
Библиографический список использованной литературы

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
НВТ - Heterojunction Bipolar Transistor, биполярный транзистор с гетеропереходом;
АХЧ - амплитудно-частотная характеристика;
МШУ - малошумящий усилитель;
ПК - персональный компьютер;
РПУ - радиоприемное устройство;
РЭА - радиоэлектронная аппаратура;
РЭС - радиоэлектронные средства;
СВЧ - сверхвысокие частоты;
ЭМО - электромагнитная обстановка;
ЭМС - электромагнитная совместимость.

( ( /р2 тс_
ТЬТ = ТР + ГГР -------------- е1 «.И-
(/Р+1ТР)
' УНЕ
1Р = /Л' е № '1Т - 1
(ЛЕ - емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении;
УЗЕ - контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер;
МЗЕ - показатель степени в формуле для емкости база-эмиттер;
ТЯ - время переноса заряда через базу в инверсном включении;
С.1С — емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении;
У.1С - контактная разность потенциалов перехода база-коллектор;
М1Е - показатель степени в формуле для емкости база-коллектор;
ТЕ - время переноса заряда через базу;
УТБ — напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться его влияние на ТБ;
1ТЕ - ток коллектора, при котором начинается сказываться его влияние на ТБ.
Таким образом, используя выражения (1-24) — (1.29) мы можем рассчитать значения всех элементов эквивалентной схемы НВТ (рис. 1.1).
Параметры модели Гуммеля - Пуна, в свою очередь, определяются из экспериментально измеренных статических и динамических характеристик транзистора. Например, напряжение Эрли в прямом включении определяется из вольт-амперной характеристики (рис. 1.3), а параметры, необходимые для определения емкости база-эмиттер из вольт-фарадной характеристики (рис. 1.4). При необходимости полученные параметры модели оптимизируются, используя экспериментально измеренные Б-параметры транзистора.