Эффекты воздействия сверхкоротких импульсов на полевые транзисторы с затвором Шоттки и малошумящие усилители на их основе

• Автор: Коровченко, Игорь Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 171 с. : ил.

Содержание

Список используемых сокращений

Введение

Глава 1. Теоретическое исследование эффектов обратимой

деградации

1.1. Моделирование двумерных полупроводниковых структур полевых транзисторов

1.2. Модель ОаАэ ПТШ для исследования образования объёмного заряда в полуизолирующей подложке

1.3. Равновесный случай

1.4. Динамика процессов и зависимость от концентрации глубоких

уровней в подложке

Выводы
Глава 2. Экспериментальное исследование эффектов обратимой деградации СаАяПТШ
2.1. Воздействие одиночных СКИ отрицательной полярности
по входной цепи ПТШ
2.2. Воздействие серии СКИ отрицательной полярности
на затвор ПТШ
2.3. Исследование воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на ПТШ, изготовленные на разных партиях подложки
2.4. Воздействие серии СКИ на ПТШ в разных температурных
режимах
Выводы
Глава 3. Малошумящий усилитель на ПТШ при воздействии сверхкоротких
видеоимпульсов
3.1. Задача электромагнитной совместимости МШУ при воздействии серии сверхкоротких видеоимпульсов
3.2. Экспериментальное исследование работы МШУ при воздействии видеоимпульсов субнаносекундной длительности
3.3. МШУ при воздействии гармонических помех и видеоимпульсов
субнаносекундной длительности
Выводы
Глава 4. Измерительный комплекс для исследования эффектов обратимой деградации при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов
4.1. Описание и основные характеристики измерительного комплекса
4.2. Описание программного обеспечения автоматизированного измерительного комплекса
4.3. Методика испытаний транзисторов на воздействие серии субнаносекундных видеоимпульсов
4.4. Методика испытаний помехозащищенности МШУ при воздействии
серии СКИ
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы,

Список используемых сокращений
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
ВАХ - вольтамперная характеристика
ВГДД — верхняя граница динамического диапазона
ГОСТ — государственный стандарт
МШУ - малошумящий усилитель
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
РЭС - радиоэлектронное средство
САПР - система автоматизированного проектирования
СВЧ - сверхвысокие частоты
СКИ - сверхкороткие импульсы
ШРХ - Шокли-Рида-Холла
ЭМО - электромагнитная обстановка
ЭМС - электромагнитная совместимость

Таблица 1.1. Параметры полупроводниковой структуры транзистора.
Ширина транзистора 4.6 мкм
Высота подложки 5 мкм
Высота канала 0.15 мкм
Ширина затвора 0.6 мкм
Ширина стока / Ширина истока 1 мкм
Расстояние сток - затвор / исток - затвор 1 мкм
Концентрация легирующей примеси в канале 2-Ю11 см*
Концентрация фоновой примеси в подложке МО16«'
Концентрация примеси хрома для материала №1 2.5-101Ь см і
Концентрация примеси хрома для материала №2 1-Ю11 с»Ґ
Концентрация примеси хрома для материала №3 1.5-10у' см*
Концентрация примеси хрома для материала №4 3-Ю1'см'3
Энергия ионизации уровня Сг относительно валентной зоны 0.755 эВ
Сечение захвата для электронов примеси хрома 1.17х10"|У см2
Сечение захвата для дырок примеси хрома 5хЮ‘17см2
Концентрация примеси ЕЬ2 1.5-1016 см*
энергия ионизации уровня ЕЬ2 относительно зоны проводимости 0.688 эВ
Сечение захвата электронов примесью ЕЬ2 4.68х] О'16 см'
Сечение захвата дырок примесью ЕЬ2 2x10"'* см“
Таблица 1.2. Компенсационные соотношения и удельные сопротивление
материалов подложки.
Материал № ЛСг, СМ'3 КСг р, Ом-см
МШЛ+(ИГ1-КА)
1 2.5-10,е> 1 4.7x10і"
2 1-Ю17 4 1.3хЮу
3 ►—* 1—* о_ £ 6 1.26хЮУ
4 з-ю17 12 8.3x10і"