Оптимизация параметров излучателей сверхкоротких импульсов

• Автор: Мещеряков, Иван Иванович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 150 с. : ил.

Содержание
Содержание
Список используемых сокращений
Введение
Глава 1. Моделирование сверхширокополосной системы, излучающей сверхкороткие импульсы
1.1. Характеристики излучения сверхкоротких импульсов
1.2. Методы электродинамического моделирования во временной области
1.3. Задание граничных и начальных условий, расчет рассеянного и излученного поля
1.4. Моделирование ТЕМ-рупора
Выводы
Глава 2. Улучшение характеристик систем излучения СКИ
2.1. Управление положением главного лепестка импульсной АФАР
2.2. Влияние параметров ТЕМ-рупора на характеристики излучения СКИ
2.3. Компенсация неравномерности энергетической диаграммы направленности ТЕМ-рупора
2.4. Формирование СКИ заданной формы
Выводы
Глава 3. Совместная модель генератора СКИ и антенны
3.1. Генерация сверхкоротких импульсов
3.2. Представление антенны при совместном моделировании с формирователем СКИ
3.3. Оптимизация параметров направленного излучателя
3.4. Оптимизация параметров ненаправленного излучателя
Выводы
Глава 4. Моделирование напряжений и токов, наводимых электромагнитным
излучением на узлы РЭС
4.1. Стойкость МШУ на базе ПТШ к импульсным помехам
4.2. Воздействие электромагнитного излучения СКИ на полосковую линию
4.3. Представление излучающей и приемной антенны
4.4. Воздействие электромагнитного излучения СКИ на ТЕМ-рупор
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы

Список используемых сокращений
АФАР - активная фазированная антенная решетка
ВГДЦ - верхняя граница динамического диапазона
ДЗ - дальняя зона
ДН - диаграмма направленности
ДНЗ - диод с накоплением заряда
ИХ - импульсная характеристика
КСВН - коэффициент стоячей волны по напряжению
КУ - коэффициент усиления
МКИ - метод конечного интегрирования
МКРВО - метод конечных разностей во временной области
МШУ - малошумящий усилитель
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
РЭС - радиоэлектронное средство
САПР - система автоматизированного проектирования
СВЧ - сверхвысокие частоты
СКИ - сверхкороткий импульс
СКВИ - сверхкороткий видеоимпульс
ЭМИ - электромагнитное излучение
ЭМС - электромагнитная совместимость
FIT - finite integration technique
FDTD - fmite-difference time-domain
SRD - Step Recovery Diode

слой (PML - perfectly matched layer), как обладающий одними из лучших характеристик [34-37].
Использование PML предполагает, что область расчета окружает слой анизотропного поглощающего материала, обладающий рядом свойств: 1) волновое сопротивление на границе раздела «область вычисления -согласованный слой» не изменяется, что достигается выполнением соотношения
2) электрическая и магнитная проводимость возрастает с увеличением расстояния между границей «область вычисления - согласованный слой» и номером ячейки вглубь слоя РМЬ по вполне определенному закону, называемому профилем потерь.
Беренджер (3. Р. Вегегщег) предложил геометрический профиль потерь
где а={х,у,г}, <т0 определяется из условия (12), а g находится из решения уравнения (1.28).
Здесь N - заданная толщина слоя РМЬ, <7 - интервал дискретизации в данном направлении, К - желаемый коэффициент отражения, /тт -минимальная частота (частота отсечки), параметр 0 подбирается эмпирически (обычно 0=10).

(1.25)

[34]:
(1.26)
1 1 /л

(1.27)
2я-£0 Qtp 2тїе q ’

In g
(1.28)