Нелинейные эффекты в субмикронных HEMT транзисторах и усилителях СВЧ на их основе при воздействии непрерывных и импульсных помех

• Автор: Ряполов, Михаил Павлович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 125 с. : ил.

Содержание.

Список используемых сокращений

Введение
Глава 1. Оптимизация конструктивных параметров НЕМТ транзисторов для улучшения нелинейных характеристик усилителей на их основе

1.1. Физические основы работы НЕМТ транзисторов

1.2. Нелинейная аналитическая модель НЕМТ транзистора

1.3. Методика моделирования коротко-канальных эффектов в НЕМТ транзисторах

1.4. Методика интеграции модели НЕМТ транзистора в среду схемотехнического проектирования ОгСасі
1.5. Оптимизация конструктивных параметров НЕМТ транзисторов для улучшения нелинейных характеристик усилителей на их
основе
Выводы
Г лава 2. Влияние конструктивных параметров НЕМТ транзисторов на шумовые характеристики усилителей на их основе
2.1. Шумовая модель НЕМТ транзистора с учётом короткоканальных эффектов
2.2. Влияние толщины спейсера и донорного слоя на минимальный коэффициент шума усилителя при проведении оптимизации конструктивных параметров транзистора для улучшения
нелинейных характеристик
Выводы
Глава 3. Экспериментальное исследование воздействия СКИ на НЕМТ
транзисторы
3.1. Результаты эксперимента по контактному воздействию СКИ на НЕМТ транзисторы
3.2. Результаты эксперимента по воздействию СКИ на НЕМТ транзисторы в широкополосной коаксиальной нагрузке
3.3. Физические механизмы обратимых отказов СаАя полевых
транзисторов под действием сверхкоротких импульсов
Выводы
Глава 4. Объёмный заряд в подложке НЕМТ транзистора под воздействием

4.1 Моделирование процессов в двумерной полупроводниковой структуре с гетеропереходом
4.2. Модель ОаАэ НЕМТ транзистора для исследования образования объёмного заряда в полуизолирующей подложке
4.3. Моделирование процесса образования объёмного заряда в
подложке НЕМТ транзистора при воздействии СКИ
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы
Список используемых сокращений
НЕМТ — транзистор с высокой подвижностью электронов.
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
ЭМО - электромагнитная обстановка
РПУ - радиоприёмное устройство
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
МШУ - малошумящий усилитель
РЛС - радиолокационная станция
СВЧ - сверхвысокие частоты
СКИ - сверхкороткие импульсы
ШКН - широкополосная коаксиальная нагрузка

(иро)2о Ц/2 Ио/2
Рис. 1.5. Зависимость поверхностной плотности двумерного электронного газа, нейтрализованных доноров и свободных электронов в слое АЮаАэ от напряжения затвор-исток. Пунктирная линия - линейная аппроксимация, сплошная - вид реальной характеристики, штрих-пунктир - используемая модель при а=0.5.