Волновые процессы в неоднородных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной подвижностью и различными типами контактов

• Автор: Кокорев, Михаил Федорович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 215 c. : ил

ОГЛАШЕНИЕ
ВВЕДШИЕ
ВОЛШ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
С1РУК1УРАХ С ОДП
1.1* Полупроводниковые структуры с ОДП и их
использование в электронике СВЧ
1.2. Процессы переноса в полупроводниках с ОДП
в сильных электрических ПОЛЯХ
1.2.1. Методы описания процессов переноса в плазме полупроводников
1.2.2. Модели полупроводниковых структур
с ОДП
1.3. Волновые процессы в полупроводниковых
структурах с ОДП
1.3.1. Влияние диффузии носителей и контактов на малосигнальный импеданс пространственно однородных полупроводниковых структур с ОДП
1.3.2. Влияние температуры, уровня и профиля легирования, контактов на устойчивость полупроводниковых структур с ОДП
1.3.3. Малосигяальный импеданс пространственно неоднородных полупроводниковых структур с ОДП
1.3.4. Малоеигнальный импеданс слоистых полупроводниковых структур
1.3.5. Влияние профиля легирования и кон-

тактов на ВЧ проводимость и КЦЦ полупроводниковых структур с ОДП в режиме
большого сигнала
1.4. Выводы и постановка задач диссертационного
исследования
2. ТЕМПЕРАТУРНАЯ МОДЕЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ
С ОДП И КАТОДНЫМ КОНТАКТОМ В ВИДЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ
2.1. Гидродинамические уравнения переноса в
линейном приближении по числу Кнудсена
2.2. Столкновительные члены для числа частиц и
энергии с учетом междолинных переходов
2.3. Двухтемпературная модель волновых процессов в полупроводниковых структурах с ОДП и барьером Шоттки в качестве катодного контакта
2.3.1. Основные уравнения модели и граничные условия. Моделирование катодного контакта
2.3.2. Конечно-разностные уравнения и алгоритм их решения
2.4. Выводы
3. ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ И МАЛОСЖНАЛЬНЫЙ ИМПЕДАНС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ОДП
3.1. Влияние диффузии носителей и контактов на волновые процессы и малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП
3.2. Влияние модуляции проводимости катодного контакта на малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП

3.3. Волновые процессы и импеданс полупроводниковых структур с ОДП и неоднородным распределением электрического поля
3.3.1. Распределение электрического поля в полупроводниковых структурах с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки
3.3.2. Устойчивость и импеданс полупроводниковых структур с ОДП и неоднородным распределением электрического поля
3.4. Волновые процессы в полупроводниковых структурах с неоднородной площадью поперечного сечения
3.4.1. Основные уравнения, описывающие процессы переноса в полупроводниковых структурах с неоднородной площадью поперечного сечения
3.4.2. Дисперсионное уравнение для волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах с неоднород
ной площадью поперечного сечения
3.5. Выводы
4. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ И РАСЧЕТ ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ОДП
И РАЗЛИЧНЫМИ ТИПАМИ КОНТАКТОВ
4.1. Программа численного моделирования волновых
процессов и расчета малосигнального импеданса

Подстановка /('р) в форде (2.2) дает
—> ОЭ . Оо , ,
(££-) г ^Ц—/" и/ иг ЛЬ] -
6І (2,ГА/л -* ?ГД) ад
—V Оо
Т? ^Зр ---^г+£г ’ (2.3)
гр (гаАТп.^ г ср.)
где при преобразовании интегралов было использовано условие равенства нулю средней тепловой скорости
<иг>
, 2 ~г р _ Ґ°
1 - - * ( ^ ? сір - обратное вреГр ' (2іїАТп-Ь Г(р)
оо V
мя релаксации ло импульсу Г 26 1 , рг- і-— / -

термосила, возникновение которой обусловлено зависимостью времени релаксации от квазиимпульса, что в условиях градиента температуры приводит к градиенту частоты столкновений [ 28]
Для определения термосилы необходимо решать уравнение баланса импульсов и уравнение для теплового потока. Связь между величи-ной и градиентом температуры выражается формулой [ 28 ]
р АІ. °ІАр чрр . (2.4)
Гр ЫГ
Таким образом, если время релаксации Г зависит от квази-импульса, что обусловливает зависимость времени релаксации ло импульсу Т от энергии (электронной температуры), то в урав-