Взаимодействие электронов промежуточных энергий с приповерхностной областью твердого тела

• Автор: Дубов, Виктор Викторович
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 244 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. КВАЗИУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР

1.1. Рассеяние электронов на протяженном потенциале

1.2. Сечение однократного дипольного рассеяния

1.3. Многократное тепловое рассеяние

1.4. Неупругое рассеяние медленных электронов поверхностью кремния при высоких температурах

1.5. Уширение квазиупругого пика при облучении образца лазером

1.6. Заключение

2. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПОВЕРХНОСТЬЮ

ТВЕРДОГО ТЕЛА
2.1. Введение
2.2. Модели поверхностных потенциалов
2.3. Роль электронов различных групп в формировании потенциалов изображения
2.4. Резонансные состояния вблизи поверхностей твердых тел
2.5. Поверхностное резонансное рассеяние поляризованных электронов
2.6. Заключение
3. ВЛИЯНИЕ ЕСТЕСТВЕННЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА НА РАССЕЯНИЕ ЧАСТИЦ
3.1. Естественные неоднородности приповерхностного
потенциала твердого тела
3.2. Влияние естественных неоднородностей на поверхностное рассеяние электронов различных групп в условиях Оже-эмиссии
3.3. Резонансное рассеяние электронов на поверхностях с естественными неоднородностями
3.4. Влияние естественных неоднородностей поверхностного потенциала на ориентационные эффекты
3.5. Заключение
щ 4. КВАНТОВЫЙ ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ В
ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
4.1. Введение
4.2. Структура матрица плотности
4.3. Матрица плотности нулевого приближения
4.4. М-блок
4.5. Слабая локализация нового типа в условиях многократного рассеяния в безграничной среде
4.6. Роль поверхности в теории квантового транспорта нового
Щ типа
4.7. Основные результаты
4.8. Слабая локализация неупруго отраженных электронов в условиях Оже-эмиссии
4.9. Квантовый транспорт Оже-электронов
4.10. Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Представленная работа посвящена созданию последовательной квантовой теории взаимодействия электронов малых и промежуточных (порядка 1 10ч эВ) энергий с приповерхностной областью твердого тела. В
работе также решается ряд конкретных задач, возникающих при изучении процессов рассеяния электронов поверхностями полупроводников. Возрастающая значимость исследований в этой области науки определяется их важностью как для решений фундаментальных задач физики, так и для практических приложений. Роль работ по взаимодействию электронов с кристаллами в становлении и развитии квантовой механики трудно переоценить, равно как и практическое значение исследований рассеяния частиц приповерхностной областью твердого тела, например, в методах диагностики поверхностей твердых тел.
Физические процессы вблизи поверхности играют важную роль в многочисленных задачах физики, полупроводниковых технологиях, в том числе наноэлектронике, оптоэлекгронике и других высокотехнологичных разделах физики и химии. На исследованиях таких процессов взаимодействия базируются современные методы контроля поверхности, как в стационарных условиях, так и в разного рода технологических процессах. Пучки электронов являются одним из самых эффективных инструментов детального изучения на атомарном уровне поверхности и приповерхностной области твердого тела.
Теоретические исследования рассеяния электронов промежуточных энергий кристаллами, имеющиеся в литературе, оказываются недостаточными для описания эффектов взаимодействия, проявляющихся в различного рода особенностях пространственного распределения эмитируемых электронов и энергетических спектров разных групп

Рисунок 1. Диаграммы, описывающие неупругое отражение электронов низких энергий от монокристаллов