+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Бозе-конденсация экситонов и оптические свойства экситонного конденсата в пространственно-ограниченных средах

Бозе-конденсация экситонов и оптические свойства экситонного конденсата в пространственно-ограниченных средах
  • Автор:

    Арутюнян, Володя Артаваздович

  • Шифр специальности:

    01.04.02

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    1984

  • Место защиты:

    Ереван

  • Количество страниц:

    105 c. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
§ I. Бозе-конденсации экситонов в размерно-квантованной пленке. 
§ 2. Спектр элементарных возбуждений экситонного конденсата в пленке.

ВВОДНЫЙ ОБЗОР


ГЛАВА I. ВОЗМОЖНОСТЬ Б03Е-К0НДЕНСАЦИИ ЭКСЙТОНОВ В РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННЫХ ПЛЕНКАХ И ШАРАХ

§ I. Бозе-конденсации экситонов в размерно-квантованной пленке.

§ 2. Спектр элементарных возбуждений экситонного конденсата в пленке.

§ 3. Бозе-конденоация экситонов в размерно-квантованном шаре.


Глава II. ЭКСИТОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННЫХ ПЛЕНКАХ И ШАРАХ В ПРИСУТСТВИИ ЗКСИТОН-НОГО КОНДЕНСАТА
§ I. Вероятность экситонного перехода в непрямо-зонной пленке при высоких уровнях возбуждения.
§ 2. Коэффициент экситонного поглощения в непрямозонной пленке при наличии бозе-конденсата экситонов.
§ 3. Коэффициент экситонного поглощения в размерно-квантованном шаре при наличии бозе-конденсата экситонов.
Глава III. ДВУХФОТОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ В ПРИСУТСТВИИ БОЗЕ-КОНДЕНСАТА ШСИТОНОВ
§ I. Двухфотонное поглощение в присутствии бозе-конденсата в массивных полупроводниках.

§ 2. Двухфотонное поглощение в прямозонных пленках в присутствии бозе-конденсата экситонов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

В настоящее время практически нет такой области науки и техники, где не использовались бы полупроводниковые материалы. Диапазон их использования очень широк - транзисторы, интегральные схемы, полупроводниковые лазеры, оптические системы по передаче и обработке информации, а в перспективе, - и сверхбыстродействующие оптические вычислительные машины.
Если на ранней стадии развития физики полупроводников ограничивались, в основном, изучением энергетического спектра различных квазичастиц, то основной задачей, стоящей перед исследователями на современном этапе развития полупроводниковой науки, является открытие и исследование возможностей контролируемого изменения различных параметров изучаемого образца. В этом отношении, наряду с интенсивными исследованиями, которые ведутся в области физики неупорядоченных полупроводников, первостепенной потребностью современной микро- и оптоэлектроники является также открытие и исследование новых физических свойств кристаллических полупроводниковых веществ.
Фундаментальной характеристикой, определяющей большинство физических свойств твердого тела, является закон дисперсии
го вектора }< . Поэтому вопрос получения кристаллов с требуемыми и, по возможности, управляемыми параметрами, сводится к вопросу о возможностях целенаправленного изменения законов дисперсии тех или иных квэзичастиц. К настоящему времени имеется достаточно много методов управления законом дисперсии квазичастиц. Отметим хотя бы такие модулирующие воздействия, как электрическое и магнитное поля, одноосное и всестороннее дэвквазичастиц
зависимость энергии Е от квазиволново-

РИС.4. Графическое решение системы (1.3.13).

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.248, запросов: 967