Бозе-конденсация экситонов и оптические свойства экситонного конденсата в пространственно-ограниченных средах

• Автор: Арутюнян, Володя Артаваздович
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ереван
• Количество страниц: 105 c. : ил

ВВОДНЫЙ ОБЗОР
ГЛАВА I. ВОЗМОЖНОСТЬ Б03Е-К0НДЕНСАЦИИ ЭКСЙТОНОВ В РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННЫХ ПЛЕНКАХ И ШАРАХ
§ I. Бозе-конденсации экситонов в размерно-квантованной пленке.
§ 2. Спектр элементарных возбуждений экситонного конденсата в пленке.
§ 3. Бозе-конденоация экситонов в размерно-квантованном шаре.
Глава II. ЭКСИТОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННЫХ ПЛЕНКАХ И ШАРАХ В ПРИСУТСТВИИ ЗКСИТОН-НОГО КОНДЕНСАТА
§ I. Вероятность экситонного перехода в непрямо-зонной пленке при высоких уровнях возбуждения.
§ 2. Коэффициент экситонного поглощения в непрямозонной пленке при наличии бозе-конденсата экситонов.
§ 3. Коэффициент экситонного поглощения в размерно-квантованном шаре при наличии бозе-конденсата экситонов.
Глава III. ДВУХФОТОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ В ПРИСУТСТВИИ БОЗЕ-КОНДЕНСАТА ШСИТОНОВ
§ I. Двухфотонное поглощение в присутствии бозе-конденсата в массивных полупроводниках.

§ 2. Двухфотонное поглощение в прямозонных пленках в присутствии бозе-конденсата экситонов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

В настоящее время практически нет такой области науки и техники, где не использовались бы полупроводниковые материалы. Диапазон их использования очень широк - транзисторы, интегральные схемы, полупроводниковые лазеры, оптические системы по передаче и обработке информации, а в перспективе, - и сверхбыстродействующие оптические вычислительные машины.
Если на ранней стадии развития физики полупроводников ограничивались, в основном, изучением энергетического спектра различных квазичастиц, то основной задачей, стоящей перед исследователями на современном этапе развития полупроводниковой науки, является открытие и исследование возможностей контролируемого изменения различных параметров изучаемого образца. В этом отношении, наряду с интенсивными исследованиями, которые ведутся в области физики неупорядоченных полупроводников, первостепенной потребностью современной микро- и оптоэлектроники является также открытие и исследование новых физических свойств кристаллических полупроводниковых веществ.
Фундаментальной характеристикой, определяющей большинство физических свойств твердого тела, является закон дисперсии
го вектора }< . Поэтому вопрос получения кристаллов с требуемыми и, по возможности, управляемыми параметрами, сводится к вопросу о возможностях целенаправленного изменения законов дисперсии тех или иных квэзичастиц. К настоящему времени имеется достаточно много методов управления законом дисперсии квазичастиц. Отметим хотя бы такие модулирующие воздействия, как электрическое и магнитное поля, одноосное и всестороннее дэвквазичастиц
зависимость энергии Е от квазиволново-

РИС.4. Графическое решение системы (1.3.13).