Микрополосковые резонаторы и их применение для исследований диэлектрических свойств жидких кристаллов

• Автор: Дрокин, Николай Александрович
• Шифр специальности: 01.04.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 304 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ НА СВЧ; СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)

§ 1.1. Экспериментальные методы диэлькометрии

§ 1.2. Микрополосковые резонансные датчики для диэлектрических

измерний

§ 1.3. Датчики на основе связанных микрополосковых резонаторов

§ 1.4. Молекулярная структура и особенности ориентационного

упорядочения жидкокристаллических мезофаз

§1.5. Макроскопические эффекты конформационной подвижности
молекул мезофазы
§1.6. Поляризация и диэлектрическая проницаемость ЖК
§1.7. Диэлектрическая проницаемость ЖК в переменном
электрическом поле
§ 1.8. Аппроксимация диэлектрических спектров и функция
распределения времен релаксации
§1.9. Заключение
ГЛАВА 2. КОНСТРУКЦИИ И ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ ДИЭЛЬКОМЕТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ НА ОСНОВЕ ОДНОРОДНЫХ МИКРОПОЛОСКОВЫХ РЕЗОНАТОРОВ
§2.1. Измерительные ячейки для определения электромагнитных
характеристик ЖК

§2.2. Датчики для диэлектрических измерений на основе
несимметричных микрополосковых линий передач
§ 2.3. Автогенераторная схема микрополоскового датчика
§ 2.4. Ориентационные диэлектрические свойства ЖК на СВЧ
§ 2.5. Эффекты запаздывания переориентации ЖК
§ 2.6. Изучение воздействия электрического и магнитного полей на
ориентационные процессы молекул ЖК в СВЧ области
ГЛАВА 3. ДИЭЛЬКОМЕТРИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ НЕРЕГУЛЯРНЫХ МИКРОПОЛОСКОВЫХ РЕЗОНАТОРОВ
§ 3.1. Амплитудно-частотные характеристики нерегулярных
микрополосковых резонаторов
§3.2. Нерегулярные МПР в конструкциях диэлектрометрических
датчиков
§ 3.3. Двухчастотный метод измерений времени дебаевской релаксации.. 111 §3.4. Расчет замкнутого кольцевого МПР для диэлектрических
измерений
§3.5. Экспериментальные модели кольцевых МПР
ГЛАВА 4. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЧАСТОТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ НА СВЧ
§4.1. Датчики для измерения диэлектрических спектров материалов в
метровом и дециметровом диапазоне длин волн
§ 4.2. Нерегулярные и многомодовые микрополосковые датчики для
высокочастотных диэлектрических измерений
§ 4.3. Изучение диэлектрических спектров жидкого кристалла 5СВ
в области ориентационной релаксации

§ 4.4. Релаксационные и резонансные спектры жидких кристаллов из серии
алкилцианобифенилов в дециметровом диапазоне длин волн
§ 4.5. Диэлектрические спектры жидких кристаллов серий пСВ, пОСВ
кристалла 5СВ
ГЛАВА 5. ДИСПЕРСИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ
§5.1. Диэлектрические спектры жидких кристаллов из группы
алкилцианобифенилов
§ 5.2. Температурные исследования диэлектрических характеристик ЖК
5СВ в области релаксации
§5.3. Диэлектрические свойства ЖК ряда цианпроизводных
с различными фрагментами в остове молекул
§ 5.4. Диэлектрические и оптические свойства ЖК
5 пропил -2 (п- цианфенил) - пиридин
§5.5. Диэлектрическая релаксация жидкого кристалла
транс-4 пропил - (4- цианфенил) - циклогексан
ГЛАВА 6. ОБ ОПРЕДЕЛЕНИИ ФУНКЦИИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕН РЕЛАКСАЦИИ ПО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СПЕКТРАМ
§6.1. Функция распределения времен релаксации для анализа
диэлектрических спектров
§ 6.2. Функция распределения времен релаксации для жидкого
кристалла 5 СВ
§ 6.3. Восстановление ФРВР жидких кристаллов 7СВ и 70СВ
по диэлектрическим спектрам

Рис. 1.10. Двухзвенная микрополосковая секция, ее эквивалентная схема и АЧХ - а, б - топология проводников и АЧХ микрополосковой структуры с полюсом затухания в полосе пропускания
Высокая чувствительность частоты к диэлектрической проницаемости подложки позволяет при температурных измерениях регистрировать относительные изменения г на уровне 10'4 [54]. Важно отметить, что чувствительность можно значительно повысить, если совместить полюс затухания с центральной частотой первой полосы пропускания структуры. Для этого необходимо уменьшить отношение Ь2/Ь (см. формулу 1.7), то есть понизить индуктивное взаимодействие резонаторов на частоте полуволнового резонанса. Очевидно, что для увеличения Ь достаточно уменьшить ширину центральных участков проводников, где располагаются пучности высокочастотных токов, а для уменьшения Ь2 достаточно увеличения расстояния между проводниками на