Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах

• Автор: Аврутин, Виталий Семенович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 93 с.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Подготовка подложек к эпитаксиальному росту
2.1. Релаксация упругих напряжений в БЮе гетероструктурах
1.2.1. Обзор теорий критической толщины псевдоморфного роста
1.2.2. Экспериментальные исследования релаксации упругих напряжений в БЮе гетероструктурах
1.3. Диффузия основных компонентов и легирующих примесей в системе 8Юе
1.4. Выводы и постановка задачи
Глава 2. Приготовление образцов и методики их исследования
2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия 57 и 57<7с
2.2. Подложки
2.3. Приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
2.4. Исследование релаксации упругих напряжений и дислокационной структуры в 5/;_л(7е./57 гетероструктурах
2.4.1. Определение степени релаксации структуры методом рентгеновской дифракции
2.4.2-. Исследование дислокационной структуры образцов
2.5. Исследование профилей распределения основных компонентов и примесей в эпитаксиальных структурах

Глава 3. Исследование влияния остаточных загрязнений на кристаллическое совершенство эпитаксиальных структур 81/81(001) и оптимизация методики подготовки подложек
3.1 Введение
3.2 Экспериментальная часть
3.2.1 Подготовка поверхности пластин и рост буферных кремниевых слоев
3.2.2 Методики исследования границы раздела эпитаксиальный слой/подложка и кристаллического совершенства эпитаксиальных структур
3.3 Результаты и их обсуждение
3.4 Выводы
Глава 4. Релаксация упругих напряжений в псевдоморфных буферных слоях 81Се различной толщины
4.1. Введение
4.2. Эксперимент
4.2.1. Приготовление образцов
4.2.2. Методы анализа эпитаксиальных структур
4.3. Результаты
4.4. Обсуждение
4.4.1. Скорость релаксации и остаточные напряжения в 81о.890ео. 11/81 гетероструктурах с 81<шОео. 11 слоем различной толщины
4.4.2. Механизм релаксации
4.5. Выводы
Глава 5. Исследование диффузии сурьмы в гетероструктурах 81/8ц-хСех/81<8Ь>/81(001) с напряженным 8ц-хСех слоем
5.1. Введение
5.2. Приготовление образцов
5.3. Экспериментальные результаты и определение коэффициента диффузии сурьмы
5.4. Выводы
Заключение
Список литературы

3500 г-
кубический материал
псевдоморфный слой
Содержание ве, х
Рис. 2.2. Расстояние между 8ц-хОех пиками на двухкристальной рентгенодифракционной кривой (излучение СиКа, отражение 004) как функция доли германия х.