Резонансная дифракция рентгеновского и мессбауэровского излучения в регулярных, модулированных и дефектных кристаллах

• Автор: Овчинникова, Елена Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 296 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Глава 1.Резонансная часть тензора восприимчивости в рентгеновском
диапазоне
§1.1. Тензор восприимчивости в теории мессбауэровской дифракции
1.1.1. Амплитуда рассеяния мессбауэровского излучения
1.1.2. Ядерная резонансная часть тензора восприимчивости кристалла
1.1.3. Декартово представление тензора восприимчивости в случае магнитного сверхтонкого взаимодействия
1.1.4. Тензор восприимчивости в присутствии квадрупольного сверхтонкого взаимодействия
1.1.5. Тензор восприимчивости в случае комбинированного сверхтонкого взаимодействия
§ 1.2. Резонансная часть тензора рентгеновской восприимчивости вблизи
краев поглощения
1.2.1 .Мультипольное представление амплитуды рассеяния
1.2.2. Декартово представление резонансной части тензора восприимчивости
Глава 2. Резонансная дифракция излучения рентгеновского диапазона в кристаллах с
несколькими видами анизотропии
§2.1. Резонансная восприимчивость кристалла с несколькими видами анизотропии
§ 2.2. Оптический подход
2.2.1. Сферическая локальная симметрия положения резонансного атома
2.2.2. Кубическая симметрия окружения резонансного атома
2.2.3. Осевая симметрия локального окружения резонансного атома
2.1.4. Неосевая локальная симметрия
§ 2.3. Приближение слабой анизотропии
2.3.1. Дипольный переход
2.3.2. Дипольно-квадрупольный вклад
2.3.3. Квадрупольный переход
2.3.4. Резонансная восприимчивость кристалла при наличии нескольких анизотропных факторов
§ 2.4. Возникновение «запрещенных» рефлексов при дифракции резонансного излучения рентгеновского диапазона в кристаллах с несколькими

анизотропными факторами
§ 2.5. Чисто ядерные рефлексы в мессбауэровской дифракции при наличии комбинированного взаимодействия
2.5.1. Чисто ядерные рефлексы в Ьс, запрещенные вЦ и разрешенные вЬс|
2.5.2. Чисто ядерные рефлексы в Ьс, запрещенные вЬт и Ц
2.5.3. Учет анизотропии тепловых колебаний
2.5.4. Изменение интенсивности и энергетической структуры чисто ядерных
рефлексов вблизи температуры магнитного упорядочения
§ 2,6. Запрещенные комбинированные рефлексы в резонансном рассеянии
синхротронного излучения
§ 2.7. Резонансная дифракция СИ в магнитных кристаллах с орбитальным упорядочением
Глава 3. Использование тензорного представления пространственных групп для
рассмотрения набора рефлексов при резонансной дифракции рентгеновского
излучения
§ 3.1.Резонансная дифракция рентгеновского излучения длин волн в
магнитных кристаллах
§ 3.2. Тензорное представление для резонансной части восприимчивости
§ 3.3. Использование тензорного представления для изучения структуры ГЭП
на ядрах атомов кристалла
§ 3.4. Использование тензорного представления для изучения резонансной дифракции рентгеновского излучения в несоразмерно модулированных
кристаллах
Глава 4. Дифракция мессбауэровского излучения в кристаллах с несколькими
неэквивалентными подрешетками резонансных ядер
§ 4.1. Интерференционные явления в дифракции мессбауэровского излучения
на кристаллах с несколькими подрешетками
§ 4.2. Дифракция мессбауэровского излучения в монокристалле ортобората железа Ге3ВОб
4.2.1.Лауэ-дифракция мессбауэровского излучения в кристалле ГезВОб вблизи спин-переориентационного перехода
4.2.2. Дифракция мессбауэровского излучения в монокристалле Ре3ВОб выше
температуры Нееля
§ 4.3. Дифракция мессбауэровского излучения в монокристаплической пленке
железо-иттриевого граната

Глава 5. Резонансная дифракция излучения рентгеновского диапазона в модулированных структурах
§ 5.1.Резонансная дифракция рентгеновского излучения в несоразмерно
модулированных немагнитных кристаллах
§ 5.2. Многомерный подход
§ 5.3. ЛАВ рефлексы, возникающие благодаря модуляции тензора восприимчивости
5.3.1. Четырехмерный подход
5.3.2. Модель гармонической модуляции
5.3.3. Гармоническая часть угловой части тензора восприимчивости
§ 5.4. Модуляция резонансного спектра
§ 5.5. ЛАВ рефлексы в пирротите
§ 5.6. ЛАВ рефлексы в дифракционной картине Ьа2МО 4.125 вблизи края
поглощения никеля
§ 5.7. ЛАВ-рефлексы в Со-акерманите. Случай двумерой модуляции
§ 5.8. Дифракция мессбауэровского излучения в модулированных кристаллах
§ 5.9. Возможность исследования запрещенных рефлексов в квазикристаллах
Глава 6. Резонансная дифракция излучения рентгеновского диапазона в кристаллах с локальной анизотропией, индуцированной тепловыми колеба ниями и точечными дефектами
§ 6.1. Запрещенные отражения в резонансной дифракции рентгеновского излучения, индуцированные тепловыми колебаниями решетки (ИТК)
6.1.1.Пример ы
6.1.2. Температурная зависимость ИТК рефлексов
§ 6.2. Запрещенные отражения, индуцированные точечными дефектами (ИТД)
6.2.1. Индуцированные примесями ИТД рефлексы в случае высокой симметрии положения
6.2.2. Дефекты в германии вблизи края поглощения германия
6.2.3. С-15 структуры
6.2.4. ИТД отражения в случае нарушенной симметрии положения дефекта
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

Выражение (1.35) представляет собой декартову форму х®, выраженную в кристаллических осях, которую можно использовать для рассмотрения мессбауэровской дифракционной картины, соответствующей кристаллам различных групп симметрии.
Тензоры £s можно разделить на части, обладающие различной внутренней симметрией, аналогично (1.24):
Декартова форма Xs особенно удобна, когда как магнитное поле, так и направления осей ГЭП на кристаллографически эквивалентных ядрах могут быть совмещены с помощью части оператора пространственной группы кристалла D(gs), описывающей вращение. В этом случае собственные значение гамильтонианов Щ совпадают, а для тензора восприимчивости, описывающего дифракционный рефлекс Н = (h,k,l) справедливо соотношение:
X (Я) = £ D{gs) Хг D-gs)eiHr(1.38)
s*ec?
В главе 4 будет показано, что в ряде случае наличие комбинированного взаимодействия на ядрах атомов может приводить с появлению специфических ’’комбинированных” рефлексов, которые отсутствуют не только вдали от резонанса, но и в случае, когда в кристалле присутствуют только магнитное поле или только ГЭП [54]-[60].
§1.2.1.Резонансная часть тензора рентгеновской восприимчивости вблизи краев поглощения
Исследования в области аномальной анизотропной дифракции рентгеновского излучения вблизи краев поглощения начали интенсивно развиваться в 80-х годах. В значительной степени это обусловлено созданием мощных источников СИ и станций, оборудованных необходимой экспериментальной техникой. Использование синхротронов для проведения экспериментов по резонансной дифракции рентгеновского излучения позволило: а) получить достаточные интенсивности за относитель-