Моделирование нелинейных процессов во входных каскадах радиоприемных устройств

• Автор: Иркутский, Олег Аркадиевич
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 147 с. : ил.

Глава 1. Нелинейные явления в транзисторных усилителях при различных электрических режимах работы транзисторов
1.1. Аналитические и численные подходы к анализу нелинейных искажений
1.2. Моделирование арсенид-галиевого полевого транзистора в нелинейном режиме
1.3. Моделирование биполярного транзистора в нелинейном режиме
1.4. Моделирование транзисторного усилительного каскада
1.5. Коэффициент шума и частотные характеристики усилителя при различных электрических режимах работы транзистора
1.6. Блокирование усилителя и явления перекрестных искажений, амплитудно-фазовой конверсии
1.7. Анализ эффекта интермодуляции в усилителе
Выводы
Глава 2. Нелинейные явления в преобразователях частоты при различных режимах работы
2.1. Моделирование полупроводникового диода
2.2. Моделирование диодного смесителя
2.3. Моделирование транзисторного смесителя
2.4. Явления перекрестных искажений и амплитудно-фазовой конверсии в смесителе
2.5. Анализ эффекта интермодуляции в смесителе
Выводы
Глава 3. Влияние на нелинейные искажения в усилительнопреобразовательных каскадах
3.1. Ослабление нелинейных эффектов в усилительнопреобразовательных структурах
3.2. Выбор оптимальных режимов работы входного модуля при действии помех
3.3. Возможность построения адаптивного входного модуля РПУ
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы
Диссертационная работа посвящена исследованию и развитию методов анализа и синтеза входных каскадов радиоприемных устройств (РПУ) диапазона сверхвысоких частот (СВЧ), построенных на основе полупроводниковых приборов. Описаны возможности применения данных методов для улучшения характеристик помехозащищенности входных модулей и отдельных каскадов малошумящих усилителей и смесителей. Разработаны и исследованы методики определения параметров моделей полупроводниковых транзисторов и диодов, алгоритмы выбора управляющих напряжений для получения оптимальных режимов работы входных каскадов РПУ с точки зрения электромагнитной совместимости (ЭМС).
Актуальность исследуемой проблемы
Отраженные в данной работе исследования непосредственно связаны с проблемами обеспечения электромагнитной совместимости (ЭМС) и устойчивого функционирования радиоэлектронных средств (РЭС) в условиях действия помех. Усложнение электромагнитной обстановки (ЭМО), обусловленное постоянным ростом числа и плотности размещения источников радиоизлучения (РЭС различного функционального назначения, бытовых приборов, промышленных установок и т.п.), а также развитием средств радиоэлектронной борьбы, предопределяет актуальность и практическую значимость данных проблем. Возникающие в этой области исследования задачи довольно разнообразны, содержательны и имеют четкую практическую направленность - сведение к минимуму нежелательных последствий нелинейных эффектов. Интенсивная деятельность в этом направлении стимулируется постоянно возрастающими требованиями к показателям качества передачи, приема и обработки информации. Данные исследования представляют особый интерес для разработчиков РЭС мобильных систем радиосвязи как гражданского, так и военного назначения,
ся непосредственно под эмиттером; это сопротивление зависит от тока 1ь. Омическое сопротивление Яь определяется следующими выражениями:
яв-ивм
Ш5М + , если ШВ
ЯВМ + 3 (ЯВ-КВМ)• 1§Х~Х,если ГКВ > О
где X

п2 Угав
Динамические свойства переходов учтены включением в модель емкостей коллектора, эмиттера и подложки. Емкость перехода база-эмиттер равна
где С(Ьс = % - диффузионная емкость, - дифференциальЙУье
ная проводимость перехода база-эмитгер в рабочей точке по постоянному току, 1Г =ТТ-(1 + ХТК-Г—^—1 •с:-44л'|т).
барьерная емкость:
СЛЕ
Уье У
уле;
ОЕ-(1-ЕСГ
если < ЕС ■ УЗ К.
1 - ЕС ■ (1 + МЛЕ) + УМЕ ■
VJE
,иначе
Емкость перехода база-коллектор имеет две составляющие:
емкость между активной базой и коллектором = С1Ьс + ХСЛС ■ ,
где С1Ьс=ТВ-СЬс- диффузионная емкость, = —Ьс1 - дифференциальная
ЛУК
проводимость перехода база-коллектор в рабочей точке по постоянному току,