Категориальная структура и содержание образа денег у студентов Дальневосточного региона

• Автор: Николенко, Юлия Сергеевна
• Шифр специальности: 19.00.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Владивосток
• Количество страниц: 171 с. : ил.

Свойства диэлектрических купратов и основные подходы к их описанию. Эксперимент и традиционное описание спектров. Описание электронной структуры диэлектрических купратов в рамках кластерного подхода. Разбиение Си плоскости. Ортогонализация кластерных состояний. Гамильтониан СиОгплоскости в кластерном представлении. Энергетический спектр СиО кластера. Са2СиС в рамках кластерного подхода. Введение. Структура фотодырки в Си плоскостях. Эффективный вибронный гамильтониан и малые неадиабатические поляроны. Электронная структура поляронов в Си плоскостях купратов. Выражение для фотоинтенсивности в рамках кластерного подхода. Кислородный вклад. Выражение для Мь1д к, е. Угловая зависимость матричного элеменга и эффекты типа остаточной Ферми поверхности. Поляризационная зависимость матричного элемента. Нарушение правил запрета для интенсивности фототока в центре зоны Бриллюэна и другие свидетельства в пользу сложной нежанграйсовской структуры валентного состояния фотодырки . Теория экситонов и спектры диэлектрических купратов.


У пика как экситона, соответствующего полосе, которая имеет пик при 2. У высокоэнергетическая особенность неправдоподобна. Даже если поглощение выше 2 еУ приводит к разделенным электроидырочным парам, сужение пика при 2 еУ указывает на то, что взаимодействие электрона и дырки является важным в межзонных переходах, а также в переходах связанных экситонов. Известно, что электрондырочное взаимодействие увеличивает матричные элементы межзонных переходов при низких энергиях. В это увеличение оказывается
более сильным, нежели в 3 . Однако, даже в 2 кулоновское взаимодействие не может объяснить наблюдаемую форму пика. Это приводит к увеличению поглощения в области энергий, соответствующим экситонным энергиям связи. Предполагая, что между электроном и дыркой имеет место короткодействующее взаимодействие, а. Такое взаимодействие более подходит к френкелевским экситонам, подобно таковым в твердых инертных газах и молекулярных кристаллах, чем к экситонам ВанньеМотта, которые размазаны по многим элементарным ячейкам, как в обычных полупроводниках. Авторы заключают, что спектр возбуждений с переносом заряда около 2 V и его температурная зависимость могут быть объяснены, если принять во внимание поляронную связь и электрондырочиые корреляции. Одна из первых микроскопических моделей иизкоэнсргетического перехода с переносом заряда в диэлектрических оксидах меди была дана в работе . Она предполагает наличие дииольиоразрешенного перехода с переносом заряда Ьд еи из 32 гибридного i ос X22 дырочного основного состояния в чисто кислородное дублетное еь состояние. Значительная информация относительно микроскопического происхождения обоих переходов может быть получена данных из резонансной римановской спектроскопии для различных диэлектрических купратов , , . Повидимому, узкая низкоэнергтическая зона, в отличие от широкой высокоэнергетической, соответствует эффективному резонансному возбуждению многих плоскостных разрешенных и запрещенных однои двухфононных Си О рамановских мод, что подтверждает ее янтеллеровскую природу. Наблюдение особенности посредством резонансного рамановского рассеяния дает спектральное разрешение много меньшее, чем таковое достигается при исследовании другими спектральными методиками. Достаточно широкая высокоэнергетическая полоса соответствует резонансному профилю двухмагнонной линии, что указывает на ее природа связанную с с межцентровым переносом заряда, который сопровождается сильной спиновой флуктуацией. Естественной кандидатурой на эту роль выступает межцентровый Ьд Ьд перенос заряда с аннигиляцией аитиферромагнитно связанной пары со спинами 5 12. Более детальный анализ спектральной и температурной зависимостей коэффициентов отражения и трансмиссии в 22 вблизи 2 V был выполнен i . Они обнаружили два пика, которые были центрированы при 2. V и 2. V и предположительно связаны с возбуждением с переносом заряда в сильнокоррелированную зону ЖангаРайса и в иесвязывающуюся кислородную зону, соответственно. Пик при 2. V имеет достаточно обычное температурное смещение, которое можно объяснить только эффектом решеточного расширения. Однако, пик при 2. V имеет аномальный знак и величину температурного смещения с увеличением температуры от К до 0 К наблюдается красное смещение и а 0. V, в то время как из эффекта решеточного расширения ожидается голубое смещение на величину V. Сильная температурная зависимость красного смещения, сопровождаемая большим уширением, может быть достаточно естественно понята в рамках Ьд у еи модели для 2. V пика, если принять во внимание сильный ферромагнитный обмен возбужденной еи дырки с ближайшими медными спинами, что приводит к сильным флуктуациям молекулярного поля ниже температур существенно превышающих Т Тм 0 К. Понижение температуры будет приводить к увеличению среднего поля с соответствующим уменьшением флуктуаций. Подобный эффект сильного 0. V температурного смещения полосы поглощения вблизи 1. V наблюдался недавно в оксиде меди СиО и объяснялся в рамках i у еи модели для этого перехода.