Статические и динамические свойства пленок феррита висмута и ферритов - гранатов с магнитными и кристаллографическими неоднородностями

• Автор: Гареева, Зухра Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Уфа
• Количество страниц: 243 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА Е МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В МУЛЬТИФФЕРОИКАХ. ЯВЛЕНИЕ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПИННИНГА
Введение
1.1. Линейный магнитоэлектрический эффект в мультиферроике В1ЕеОз..
1.2. Основные взаимодействия в мультиферроиках
1.3. Расчет основного состояния в пленках мультиферроиков
1.4. Доменная структура мультиферроиков
1.5. Коэрцитивность антиферромагнитных доменных границ мультиферроиков
1.6. Намагниченность и поляризация в пленках феррита висмута
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 2. НЕОДНОРОДНЫЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В ДВУХСЛОЙНЫХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ
Введение
2.1. Магнитоэлектрические свойства ферритов - гранатов
2.2. Магнитоэлектрический эффект в двухслойной структуре с ферромагнитным межслойным взаимодействием
2.3. Электрическая поляризация двухслойной пленки при перпендикулярном
намагничивании
2.4. Процессы намагничивания и электрическая поляризация в двухслойной пленке в продольном магнитном поле
2.5. Магнитоэлектрический эффект в двухслойной структуре с антиферромагнитным межслойным взаимодействием
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 3. РАЗМЕРНЫЕ РЕЗОНАНСЫ МАГНИТОУПРУГИХ И УПРУГИХ
ВОЛН В ДВУХСЛОЙНОЙ СИСТЕМЕ МАГНЕТИК - НЕМАГНИТНЫЙ
ДИЭЛЕКТРИК
Введение
3.1. Энергия, основные состояния и уравнения движения магнитоупругой среды
3.2. Связанные уравнения динамики магнитоупругих и упругих волн
3.3. Метод расчета частот размерных резонансов магнитоупругих и упругих
волн в двухслойной планарной структуре
3.4. Размерные резонансы магнитоупругих и упругих волн в двухслойной структуре. Расчет для пластины (001)
3.5. Толщинные моды магнитоупругих и упругих волн в планарной структуре вида (111)
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ РАЗМЕРНЫХ РЕЗОНАНСОВ
МАГНИТОУПРУГИХ И УПРУГИХ ВОЛН ПРИ ПЕРПЕНДИКУЛЯРНОМ И
ПРОДОЛЬНОМ НАМАГНИЧИВАНИИ
Введение
4.1. Неэквидистантное расположение гармоник резонансных частот. Трехслойные и двухслойные структуры
4.2. Эффективность возбуждения магнитоупругих и упругих волн в двухслойной структуре вида магнетик - немагнитный диэлектрик
4.3. Толщинные моды магнитоупругих волн в продольно - намагниченной ферромагнитной пластине
4.4. Размерные резонансы магнитоупругих и упругих волн в двухслойной структуре магнетик - немагнитный диэлектрик в магнитном поле, приложенном вдоль поверхности
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 5. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ЭФФЕКТЫ НА ОПТИЧЕСКОМ
ПОГЛОЩЕНИИ ИТТРИЙ - ЖЕЛЕЗИСТЫХ ГРАНАТОВ
Введение
5 Л. Оптическое поглощение и фотоиндуцированные эффекты на оптическом поглощении иттрий - железистых гранатов в видимой и ближней инфракрасной области спектра
5.2. Нетрехвалентные ионы железа в ИЖГ в кристаллическом поле, с учетом тригональных и нетригональных компонент
5.3. Оптическое поглощение октаэдрических ионов Fe
5.4. Оптическое поглощение октаэдрических ионов Fe4+
5.5. Фотоиндуцированные изменения коэффициента оптического поглощения в ИЖГ. Сравнение с экспериментом
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Таблица 1.1. Положения атомов в структуре с зарядовым содержанием Ш20з - 73.5, Ре20з 17.2, БугОз - 2.8 [57], пространственной группы Сг (РЬп2]).
При равенстве нулю смещений, обозначенных греческими символами, группа пространственной симметрии становится Ид,16 (РЬпш) (группой симметрии ортоферрита).
Атомы Символы атомных позиции по Вайкоффу для 02Н16 X У ъ
4с Уя 1А+£,к
Ре 4Ь 0 1/2
о, 8(1 Хо 1+^01 У01+1]01 2о 1+^
02 8(1 Хо1"Со1 У01-Л01 ‘/2-201+^
03 4с Хоз Уоз ‘/■Коз
появляющиеся в результате магнитного упорядочения ниже температуры Нееля, также становятся отличными от нуля. Таким образом, в полярной фазе реализуется квадратичный магнитоэлектрический эффект Р1 = Р]кН)Нк / 2,
ниже температуры Нееля другой магнитоэлектрический эффект/] = сс.^кЕ]Ек /2 может быть также реализован.
Кроме того, компоненты, принадлежащие представлению Гъ х г
становятся отличными от нуля в результате взаимодействия с упорядоченными электрическими и магнитными подсистемами, линейный магнитоэлектрический эффект становится разрешенным и матрица