Поглощение электромагнитного излучения в квантовом канале

• Автор: Карпунин, Виталий Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Саранск
• Количество страниц: 139 с. : ил.

Оглавление
Введение
Обозначения
Глава 1, Литературный обзор
1.1. Обзор работ по магнитофононному и циклотрон-фононному резонансам в полупроводниках
1.2. Поглощение электромагнитного излучения электронами в низкоразмерных системах, с учетом рассеяния на фононах и примесях
1.3. Циклотронный резонанс, магнитофононный резонанс и электрон
фононное взаимодействие в различных гетероструктурах
Глава 2. Гибридно-фононные резонансы в квантовом канале
2.1. Матричные элементы электрон - фононного, электрон - фотонного взаимодействий и матричный элемент оператора возмущения
2.2. Коэффициент поглощения
2.3. Основные выводы главы
Глава 3. Гибридно-фононные резонансы в квантовом канале при наличии магнитного поля
3.1. Электронный спектр
3.2. Матричные элементы операторов электрон-фононного и электрон-фотонного взаимодействий
3.3. Матричные элементы оператора возмущения
3.4. Коэффициент поглощения электромагнитного излучения в квантовом канале
3.5. Основные выводы главы 3

Глава 4. Спин-гибридно-фононные резонансы в квантовом канале
4.1. Поглощение электромагнитного излучения электронами квантового канала. Переход 5 = 1 —> в' = — 1 (эмиссия фонона)
4.1.1 Матричный элемент оператора электрон - фононного взаимодействия для перехода в = 1 —> в' = — 1 (эмиссия фонона)
4.1.2 Матричный элемент оператора возмущения
4.1.3 Коэффициент поглощения электромагнитного излучения в квантовом канале для перехода 5 = 1 —» в' = — 1 (эмиссия фонона)
4.2. Поглощение электромагнитного излучения электронами квантового канала. Переход в = — 1 —> з' = 1 (эмиссия фонона)
4.2.1 Матричный элемент оператора электрон - фононного взаимодействия для перехода в = — 1 —> в1 = 1 (эмиссия фонона)
4.2.2 Матричный элемент оператора возмущения
4.2.3 Коэффициент поглощения электромагнитного излучения в квантовом канале для перехода 5 = — 1 —> в' = 1 (эмиссия фонона)
4.3. Поглощение электромагнитного излучения электронами квантового канала. Переход в = 1 —> в' = — 1 (абсорбция фонона)
4.3.1 Матричный элемент оператора электрон - фононного взаимодействия для перехода 5 = 1 —> з1 = — 1 (абсорбция фонона)
4.3.2 Матричный элемент оператора возмущения
4.3.3 Коэффициент поглощения электромагнитного излучения в квантовом канале для перехода 5 = 1 —» в' = —1 (абсорбция фонона)
4.4. Поглощение электромагнитного излучения электронами квантового канала. Переход в = —1 —> в' = 1 (абсорбция фонона)

4.4.1 Матричный элемент оператора электрон - фононного взаимодействия для перехода в = — 1 —» Ф = 1 (абсорбция фонона)
4.4.2 Матричный элемент оператора возмущения
4.4.3 Коэффициент поглощения электромагнитного излучения в квантовом канале для перехода 5 = — 1 —» а' = 1 (абсорбция фонона)
4.5. Основные выводы главы
Заключение
Список литературы

вдоль оси спирали.
Собственные колебательные моды и электрон-фононное взаимодействие в полупроводниковой нанотрубке (НТ) исследовались в работе [92]. Полупроводниковая НТ получается путем самосворачивания квантовой пленки, причем радиус и толщину пленок можно контролировать и изменять в широких пределах. Расчет проведен с учетом пьезоэффекта. Построены спектры колебательных мод в длинноволновом пределе. Указано, что эти колебания будут значительными при низких температурах. Получен гамильтониан электрон-фононного взаимодействия (взаимодействие электронов с акустическими фононами) через пьезоэлектрический потенциал. Также получен гамильтониан электрон-фононного взаимодействия через деформационный потенциал. Проведено сравнение пьезовзаимодействия с деформационным взаимодействием в двух предельных случаях, а также рассмотрено отличие пьезовзаимодействия в НТ от ЗБ образца. В пределе больших радиусов пьезовзаимодействие мало по сравнению с деформационным. Зависимость от частоты амплитуды взаимодействия в случае НТ такая же как и в ЗБ образце. В длинноволновом пределе зависимость пьезовзаимодействия от частоты в НТ более сложная и отличается от случая ЗБ образца. Возрастает роль пьезовзаимодействия по сравнению с деформационным.
В [93] рассматривается система состоящая из полупроводниковой квантовой ямы и двух полубесконечных барьеров, расположенная в магнитном поле, направленном перпендикулярно плоскости квантовой ямы. В этой системе вычислено отражение, прохождение и поглощение симметричного электромагнитного импульса сквозь квантовую яму. Построена