Нелинейные процессы в усилительных каскадах СВЧ под воздействием интенсивных импульсных помех

• Автор: Усков, Григорий Константинович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 178 с. : ил.

Список используемых сокращений
Глава 1. Исследование структурных нелинейных моделей полевых транзисторов и методов определения их параметров
1.1.Нелинейные модели полевых транзисторов и методы их анализа.. 22 1.2.Определение параметров структурных моделей транзистора по экспериментальным данным
1.3.Формирование амплитудно-частотной характеристики усилителя работающего в нелинейном режиме
1.4.Учет эффектов детектирования при моделировании МШУ на
полевых транзисторах с затвором Шоттки
Выводы
Глава 2. Прогнозирование стойкости ПТШ к импульсным перегрузкам
2.1.Проявление эффекта обратного управления ПТШ под действием
импульсной перегрузки во входной цепи
2.2.0братимая деградация ПТШ под действием периодических импульсов
2.3. Постановка эксперимента и экспериментальная установка
2.4. Экспериментальные результаты
Выводы
Глава 3. Экспериментальное исследование деградации ПТШ под действием импульсов большой амплитуды субнаносекундной длительности
3.1.Физические основы деградационных процессов характеристик ПТШ при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов
3.2.Автоматизированный измерительный комплекс для исследования стойкости ПТШ к воздействию сверхкороткими видеоимпульсами. Состав автоматизированного комплекса
3.3.Алгоритм программы управления экспериментом

3.4.Исследование воздействия импульсов положительной
полярности
3.5.Исследование воздействия импульсов отрицательной
полярности
3.6.Механизмы обратимой деградации. Интерпретация результатов. 120 Выводы
Глава 4. Моделирование деградационных процессов в ПТШ под воздействием СКИ
4.1.Модель Хаммерштейна в случаях дискретного и непрерывного времен
4.2.Математическая модель деградационных процессов в ПТШ и определение её параметров на основе экспериментальных данных
4.3.Внедрение модели ПТШ в пакеты схемотехнического проектирования
4.4.Параметр обратимой деградации
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы
Приложение

Список используемых сокращений
MESFETs - métal semiconductor field effect transistor
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
МШУ - малошумящий усилитель
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РГГУ - радиоприемное устройство
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
РЭС - радиоэлектронное средство
САПР - Система автоматизированного проектирования
СКИ - сверхкороткий импульс
ЭМО - электромагнитная обстановка
ЭМИ - электромагнитное излучение
ЭМС - электромагнитная совместимость
ЭС - эквивалентная схема

Общеизвестно, что по коэффициенту компрессии может быть найден такой параметр, как intercept point (IP). По определению IP находится как точка пересечения двух прямых, одна из которых соответствует линейному режиму усилителя, вторая - нелинейному режиму, при котором возникает интермодуляция [71, 72]. IP однозначно связан с абсолютной величиной мощности интермодуляционного сигнала, которая характеризует эффект интермодуляции в малошумящих усилителях (МШУ) [3].
Таким образом, вышеописанная методика позволяет находить параметры моделей ПТ, на основе которых можно производить учет нелинейных эффектов, в том числе блокирования и интермодуляционных искажений [29].
1.3. Формирование амплитудно-частотной характеристики усилителя работающего в нелинейном режиме.
До сих пор рассматривалась только модель транзистора. Но ее недостаточно знать, чтобы рассчитывать и анализировать работу СВЧ усилителя на основе этого транзистора. Для этого необходимо знать модель самого усилителя.
Усилитель СВЧ может обеспечить заданные электрические характеристики, если транзистор правильно нагружен, то есть, если сопротивление источника сигнала и нагрузки в плоскости транзистора имеют вполне определенные значения. Реальные же сопротивления источника и нагрузки, как правило, равны 50 Ом, поэтому усилитель должен включать в себя согласующие цепи, осуществляющие трансформацию сопротивлений. В соответствии с этим структура усилителя может быть представлена в виде, изображенном на рис 1.20 [73]. Эта структурная схема является основой, которая при необходимости может быть дополнена элементами, осуществляющими, например выравнивание амплитудно-частотной