Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO2/p-Si

• Автор: Тарасов, Антон Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 124 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
Глава Е Гибридные структуры ферромагнетик/диэлектрик/
полупроводник
1.1 Рассогласование проводимостей
1.2 Выбор материалов при формировании гибридных структур
1.3 Геометрия ток в плоскости структуры
1.4 Топология структур, многотерминальная геометрия
1.5 Эффект Ханле; анизотропное магнитосопротивление; магнитное 25 расщепление спиновых подзон в двумерном электронном газе
1.6 Гибридные структуры на переменном токе
1.7 Отклик гибридных структур на воздействие оптического излучения
1.8 Визуализация спинового транспорта в гибридных структурах
Выводы и постановка задачи
Глава 2. Экспериментальные методы исследования гибридных струк-
тур. Получение образцов.
2.1 Описание технологии получения образцов
2.2 Экспериментальные методы исследования гибридных структур
2.2.2 Установка для прецизионных исследований транспортных и маг- 49 нитотранспортных свойств структур на постоянном токе
2.2.3 Установка для прецизионных исследований транспортных и маг- 50 нитотранспортных свойств структур на переменном токе

Основные результаты
Глава 3. Гибридные структуры Ре/8Ю2/р-8п транспортные и магнито-
транспортные свойства на постоянном токе
3.1 Транспортные и магнитотранспортные свойства
3.2 Диод с барьером Шоттки
3.3 Механизмы магниторезистивного эффекта
Основные результаты
Глава 4. Исследования частотно-зависимых магнитотранспортных
свойств планарного устройства на основе гибридной Ге/8102/р-81 структуры с барьером Шоттки
4.1 Импеданс без магнитного поля
4.2 Импеданс в магнитном поле
4.3 Поверхностные центры
4.4 Механизм влияния магнитного поля
Основные результаты
Глава 5. Исследования транспортных и магнитотранспортных свойств
гибридных структур Ре/8Ю2/р-81 с барьером Шоттки в неравновесных условиях, созданных оптическим излучением
5.1 Низкотемпературные особенности фотоэлектрического эффекта
5.2 Транспортные свойства планарного устройства в условиях оптиче- 99 ского облучения
5.3 Оптически индуцированный магниторезистивный эффект
Основные результаты

Заключение
Список цитируемых источников литературы

2 20 10
-1.2 -0.8 -0.4 0 0.4 0.8 1.
DC Bias (V)
Рисунок 16 - зависимость МИ на частоте 1МГц от постоянного напряжения смещения [34]
Ml ratioatf=1 kHz о Type А
О Туре В

о° ° о
ОО о о
Оо о о
О л о О

Для описания полученных зависимостей предложена следующая эквивалентная схема:
ГнМДг—1 ^2 “1_н

Тогда для импеданса 2ф=Яф+1Хф получаем
Л юЯ]С
Я =------1—^г + Я, Х =
1 + 4рЯС ^ 1 + ^ ^2]
Такая модель довольно хорошо описывает полученные зависимости, однако, дает большее значение МИ, чем экспериментально полученное. Это можно объяснить вкладом эффективной емкости в импеданс. С увеличением напряжения смещения величина барьера уменьшается (потенциал на барьере) и ток через барьер АЮХ увеличивается. В случае образца А наличие дополнительного ферромагнитного слоя СоБеВ уменьшает энергию электронов необходимую для перехода через барьер, что, в свою очередь, уменьшает Я] .