Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4

• Автор: Райлян, Валентин Яковлевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Кишинев
• Количество страниц: 165 c. : ил

-ОГЛАВЛЕНИЕ
ГЛАВА- I. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ А^С^1
(.Литературный обзор)
1.1. Кристаллическая структура анизотропных соединений
1.2. Оптические свойства широкозонных соединений £п1пг5г/} Сс!всс2(3,5е)^
1.3. Заключение по обзору литературы
и постановка задачи
Глава II. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ 2п1пгв//, Сс1 ваг ^ и Сс1 ваг3е^ В ОБЛАСТИ КРАЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ
2.1. Методика исследования оптического поглощения
2.2. Краевое поглощение £п1пгЗ/(.
Распределение локализованных состояний
2.3. Оптическое поглощение и экситон-фононное взаимодействие в соединениях Сс(ва2 (6,3е)^
2.4. Эффект насыщения поглощения в /п 1п2
Выводы к второй главе
Глава III. СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ И ЗОННАЯ СТРУКТУРА
СОЕДИНЕНИЙ 1п1п2 б^ И Сс/ва2(5,3е)4
3.1. Оптические постоянные вещества, их связь с зонной структурой и методика измерения спектров отражения
3.2. Спектр отражения 1п1п2у

3.3. Спектры отражения и зонная структура соединений CdGa^Se^
3.4. Экситонные состояния в CdGazS^
Выводы к третьей главе
Глава IV. ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ
ZnIn2SA(Hi)
4.1. Методика исследования люминесцентных свойств монокристаллов тиоиндата цинка
4.2. Спектры фотолюминесценции монокристаллов Znln^'
4.3. Особенности кинетики люминесценции
lnlnzsu
Выводы к четвертой главе
Заключение
ЛИТЕРАТУРА

В "Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981-1985 годы и на период до 1990 года", приня -тыми ХХУ1 съездом КПСС, особое внимание уделяется развитию производства сверхчистых, полупроводниковых, сверхпроводящих и других материалов и изделий из них с комплексом заданных свойств. Решение этой задачи невозможно без применения новых полупроводниковых материалов. Это стимулирует работы по получению и исследованию сложных полупроводниковых соединений, чьи свойства из -меняются в значительно более широком интервале, чем у элементарных и бинарных веществ.
Об интересе исследователей к тройным соединениям свидетельствует издание ряда монографических работ /1-4/) организация международных и всесоюзных конференций. Среди большого числа этих материалов особое место занимает группа дефектных соедине -ний А^В^С^1. Их практическая ценность обусловлена уникальными свойствами: радиационной стойкостью, слабой чувствительностью к примесям, большим диапазоном прозрачности, интенсивной люминесценцией, высокой фоточувствительностью, эффектом переключения и памяти. В этом заключается их перспективность в качестве материалов для оптоэлектроники и нелинейной оптики. В частности, большая ширина запрещенной зоны и высокая фоточувствительность сульфидов позволяют изготовить на их основе твердотельные де -текторы ультрафиолетового излучения /5/ для применения в медицине, биологии, сельском хозяйстве, изучении космоса. При разработке таких приборов, работа которых основана на взаимодей -ствии излучения с веществом, необходимо иметь точные сведения о фундаментальных оптических свойствах этих соединений.
В качестве объектов исследования из 27 соединений А^В^С^1

Рис.8. Зависимость тока через образец 2» 0т напряжения на полевом электроде: о - эксперимент, расчет по формуле (2.33)
(а); геометрия образца (б); распределение состояний в запрещенной зоне ниже дна зоны проводимости (в).