Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
- Автор:
Райлян, Валентин Яковлевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Кишинев
- Количество страниц:
165 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества | Барановский, Максим Владимирович | 2013 |
| Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния | Аржанникова, София Андреевна | 2008 |
| Исследование транспортных свойств нанофрагментированных и модифицированных углеродными нанокластерами полупроводников. | Овсянников Данила Алексеевич | 2016 |