Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах
- Автор:
Медведев, Павел Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
96 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах», автор — Медведев, Павел Георгиевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2006 году. Объем работы: 96 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002881692. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе | Бадгутдинов, Мансур Лябибович | 2007 |
| Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN | Потанахина, Любовь Николаевна | 2006 |
| Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе | Чалдышев, Владимир Викторович | 1984 |