Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
- Автор:
Мишустин, Владислав Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов | Сергейченко, Надежда Владимировна | 2013 |
| Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями | Аксенов Максим Сергеевич | 2019 |
| Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка | Сибатов, Ренат Тимергалиевич | 2007 |