Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
- Автор:
Мишустин, Владислав Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников», автор — Мишустин, Владислав Геннадьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Рязань в 2008 году. Объем работы: 185 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004150332. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком | Векслер, Михаил Исаакович | 2006 |
| Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник | Чучева, Галина Викторовна | 2009 |
| Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений | Заварцев, Юрий Дмитриевич | 2000 |