Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
- Автор:
Мишустин, Владислав Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением | Курочкин, Николай Евгеньевич | 1998 |
| Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии | Новиков, Вадим Александрович | 2010 |
| Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu | Сафонов, Александр Николаевич | 2007 |