Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
- Автор:
Мишустин, Владислав Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников», автор — Мишустин, Владислав Геннадьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Рязань в 2008 году. Объем работы: 185 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004150332. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge | Блошкин, Алексей Александрович | 2011 |
| Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью | Когновицкая, Елена Андреевна | 2005 |
| Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As | Воловик, Борис Владимирович | 2001 |