Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015)

• Автор: Матиева, Тоита Ахметовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 191 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И ФИЗИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ Т1В3С2
§ 1Л. Физико-химические особенности соединения /ТТПпБг
§ 1.2. Кристаллическая структура и характер химической связи
в соединениях Т1В3Сб2
1.2.1. Структура соединений типа /?-Т11п82
§ 1.3 Обзор физических свойств соединений типа Д-ТПпБг
1.3.1. Оптические свойства Д-ТПпБг
1.3.2. Динамика решетки /?-Т11п82
1.3.3. Заключение и постановка задач
ГЛАВА II. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ И ВЫРАЩИВАНИЕ
МОНОКРИСТАЛЛОВ Д-ТЩСиДпЗг (0 < X < 0,015)
§2.1. Синтез соединений типа /?-ТПп82
§ 2.2. Выращивание монокристаллов
Д-Т1,.хСих1п82 (0 < X < 0,015)
§ 2.3. Микрозондовый анализ монокристаллов
Д-ТЩСиДпЗг (0 < X < 0,015)
2.3.1. Обработка результатов измерений нарушений стехиометрии в монокристаллах
Д-Т11.хСих1п82 (0 < X < 0,015)
Выводы к главе II
ГЛАВА III. ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
МОНОКРИСТАЛЛОВ /ТТЩСиДпЗ, (0 < X < 0,015)
§ 3.1. Методика эксперимента

§ 3.2. Структура края собственной полосы поглощения
монокристаллов/?-Tli.xCuxInS2 (0 < X < 0,015)
§ 3.3. Термостимулированная проводимость и деполяризация
монокристаллов /?-TlInS2
Выводы к главе III
ГЛАВА IV. АНИЗОТРОПИЯ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРООПТИ-ЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ
/i-Tl,.xCuxInS2(0 < X < 0,015)
§4.1. Анизотропия оптических свойств слоистых
полупроводников
§ 4.2. Электрооптический эффект в кристаллах
y8-Tl1.xCuxInS2(0 § 4.3. Исследование дисперсии в кристаллах
/?-Tli_xCuxInS2 (0 < X < 0,015)
§ 4.4. Влияние магнитного поля на гирацию в кристаллах
/?-Tli_xCuxInS2(0 <Х < 0,015)
Выводы к главе IV
ГЛАВА V. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ СПЕКТР МОНОКРИСТАЛЛОВ
/?-Tli_xCuxInS2 (0 < X < 0,015)
§5.1. Методика эксперимента по ИК-спектроскопии и КРС
§ 5.2. Определение оптических постоянных твердых тел из
спектров ИК отражения
§ 5.3. Особенности колебательных спектров монокристаллов
/?-Tl,.xCuxInS2(X = 0-0,015)
§ 5.4. Исследование температурной зависимости спектров ИК -отражения монокристаллов
/?-Tli.xCuxInS2 (X = 0 - 0,015)

Выводы к главе V
ППРИЛОЖЕНИЕ
ПЕРСПЕКТИВЫ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
МОНОКРИСТАЛЛОВ /?-TlbxCuxInS2 (0 < X < 0,015)
§ П.1. Фоторезисторы из монокристаллов TII11S2 и
твердых растворов на его основе
§ П. 2. Ячейки памяти на основе монокристаллов
/?-Tl,.xCuxInS2 (0 < X < 0,015)
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

на их основе. Ими изучались угловое поведение ИК-активных решеточных мод в зависимости от угла между волновым вектором фонона и направлением оптической оси С монокристаллов. Наблюдаемые фононные спектры, авторы интерпретировали исходя из наличия в примитивной ячейке двух слоев тетрагональной симметрии, связанных между собой операцией инверсии.
Об изучении спектров ИК отражения и КРС новой системы твердых растворов ТЮах1п1.х8е2х82(|-Х) 05-Т11п82 - ТЮа8е2) было сообщено в работах [32, 55]. Целью этих работ было установление особенностей поведения оптических мод от состава твердых растворов ТЮах1п1.х8е2х82(1.Х). Авторами было установлено, что эти твердые растворы проявляют смешанное одно - и двухмодовое поведение ИК-активных оптических фононов от состава.
Другой немаловажной стороной интереса исследователей к колебательным спектрам соединений типа /?-ТПп82, явились обнаруженные в кристаллах /?-ТПп82 и ТЮа8е2 температурные структурно-фазовые переходы (ФП).
Согласно сообщениям ряда авторов [56-58] на основании наблюдаемых ими аномалий в температурной зависимости электрических и оптических свойств, для соединения Д-Т11п82 имеет место серия структурнофазовых переходов. В частности, из результатов нейтронографических исследований авторов [56] следует, что с изменением температуры в кристаллах Д-Т11п82 последовательно наблюдаются три ФГТ: переход в несоразмерную фазу при Т1 = 220 К; сегнетоэлектрический переход, сопровождающийся изменением модуляции структуры при Т2~200 К и переход в соразмерную фазу при Т3~170 К. В работе [57] авторы обнаружили диэлектрические и оптические аномалии, указывающие на наличие структурных ФП в /?-Т11п82 при Т 1=216 К. Сегнетоэлектрический ФП в /?-Т11п82