Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии

• Автор: Спивак, Юлия Михайловна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 214 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава 1. Современные фотоприемники на основе соединений
группы А4В6 (литературный обзор)
1.1 РЖ - фотоприемники на основе халькогенидов свинца
1.1.1. Охлаждаемые РЖ - фотодетекторы на основе монокристаллических слое соединений А4В6 на кремнии
1.1.2. Высокоселективные РЖ - фотодетекторы с микрорезонатором
1.1.3. Неохлаждаемые фото детекторы на основе поликристаллических слоев халькогенидов свинца
1.2. Особенности оптических, электрофизических и структурных
свойств халькогенидов свинца
1.2.1. Основные физико-химические свойства халькогенидов 28 свинца
1.2.2. Особенности зонной структуры халькогенидов свинца
1.2.3. Основные кристаллофизические свойства халькогенидов свинца
1.2.4. Дислокации в эпитаксиальных пленках РЬХ с кристаллографической ориентацией (111)
1.2.5. Влияние деформации на электрические свойства соединений 34 РЬХ
1.3. Применение атомно-силовой микроскопии для диагностики материалов и создания структур микро- и оптоэлектроники
1.3.1. Принцип работы и основные режимы АСМ
1.3.2. Латерально-силовая микроскопия
1.3.3. Картографирование сил адгезии и особенности кривых отвода-подвода зонда АСМ
1.3.4. Исследование механических характеристик нанотрубок воздействием зонда АСМ
1.3.5. Исследование топографии квантовых точек РЬТе/РЬБе
1.4. Сканирующая микроскопия сопротивления растекания (ЗЭЛМ)
1.4.1. Определение удельного сопротивления по данным ЗЗЛМ
1.4.2. Факторы, влияющие на измерения в режиме ЗБЛМ

1.4.3. Определение параметров полевых транзисторов с помощью 50 ББИМ
1.4.4. Исследование влияния структурных характеристик на свойства диодов Шоттки методами С-АСМ
1.5. Особенности проведения измерений АСМ, обусловленные малым
размером зонда

1.5.1. Локальная наноразмерная электротермическая декомпозиция
1.5.2. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности 54 подложек
1.5.3. Локальная "глубинная" модификация полупроводников
1.5.4. Локальная электродинамическая модификация поверхности
1.5.5. Фазовый переход в 81 под влиянием давления зонда АСМ
Выводы к главе
Глава 2 Исследование механизмов роста и дефектообразования в эпитаксиальных слоях РЬТе (111)
2.1. Напряжения упругодеформированных эпитаксиальных слоев РЬТе
2.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия РЬТе (111)
2.3. Методика исследования топографии эпитаксиальных слоев РЬТе с помощью атомно-силовой микроскопии
2.4. Особенности топографии ростовой поверхности РЬТе/ВаР2 (111)
2.5. Развитие модельных представлений о природе возникновения трубчатых дефектов в РЬТе/ВаБг
2.6. Исследование процессов релаксации напряжений несоответствия в РЬТе/ВаР2 и РЬТе/СаР2/81
2.6.1. Исследование топографии слоев РЬТе/СаРЬ/Б!
2.6.2. Развитие модельных представлений о природе возникновения 30°-террасах на поверхности РЬТе/СаР2/81 84 после релаксации
2.6.3. Активизация скольжения в РЬТе/ВаБ2
Выводы к главе
Глава 3 Математическое моделирование процессов,
сопровождающих токопрохождения в системе зонд АСМ - Ме/РЬТе
3.1. Устройство и конструкционные особенности атомно-силовых

микроскопов, использованных в работе
3.1.1. АСМ для измерений в вакууме и при криогенных 93 температурах
3.1.2. Выбор зонда АСМ
3.2. Невоспроизводимость ВАХ контактов металл - халькогенид свинца
при стационарном положении зонда АСМ

3.3. Моделирование распределения поля и разогрева в системе зонд
АСМ-халькогенид свинца

3.3.1. Моделирование распределение электростатического поля
3.3.2. Моделирование распределения плотности тока и нагрева приконтактной области под зондом АСМ
3.4. Анализ возможности возникновения условий для пластической 107 модификации
3.5. Комбинированный способ построения локальных ВАХ
Выводы к главе
Глава 4. Исследование электрофизических свойств фотоприемников на основе монокристаллических слоев РЬТе
4.1. Специфика формирования интерфейса выпрямляющих контактов к халькогенидам свинца
4.2. Технология формирования наноконтактов 1п/РЬТе
4.2.1. Формирование системы наноконтактов
4.2.2. Анализ рельефа системы наноконтактов
4.3. Методика контроля условия изолированности наноконтактов
4.4. Эволюция каналов протекания тока при вариации напряжения
4.4.1. Методика оценки эволюции каналов протекания тока при вариации напряжения
4.4.2. Методика выделения шунтов и локальных областей с особенностями токопрохождения
4.5. Эволюция ВАХ наноконтактов при термоциклировании
Выводы к главе
Глава 5. Атомно-силовая микроскопия фоточувствительных и излучающих поликристаллических слоев на основе РЬве

Рис. 1.12. Развёрнутый тетраэдр Томпсона.
Представлены как обозначения Томпсона [(а) -плоскость скольжения, АВ -вектор Бюргера полной дислокации а/2<110>, вектор Бюргера частичной дислокации], так и один из возможных заборов индексов для плоскостей и направлений. Обозначение [011> вместо обычного обозначения [011] введено, чтобы показать направление вектора.
Рис. 1.13. Схематическое изображение 12 возможных направлений вектора Бюр-герса а/2< 110>. Черным шрифтом показаны подвижные дислокации и синим - не активные при приложении деформации в направлении [111].
Рис 1.14. Схематическое изображение системы скольжения {100}<110> в эпитаксиальных слоях РЬХ (111) на кремнии [43].