Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе

• Автор: Наумова, Ольга Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 323 с. : ил.

Список сокращений и условных обозначений
АМС Airborne Molecular Contamination - молекулярные загрязнения,
присутствующие в воздухе AFP альфафетопротеин
BG или G2 Back-Gate - обратный затвор КНИ-МОП транзистора, в качестве
которого используется подложка структур КНИ BFIT Butyl Hydroxy Toluene - Бутилгидрокситолуол
BOX Buried Oxide - скрытый окисел структур КНИ
BSA Bovine Serum Albumin - бычий сыворотночный альбумин
Сіп емкость состояний на границе раздела Si/BOX
Cit2 емкость состояний на границе раздела Si/OX
Сьох емкость скрытого окисла структур КНИ
Cd емкость диффузионной части электролита
Cai емкость двойного слоя электролита
С0х емкость окисла на поверхности Si
CLSEG Confined Lateral Selective Epitaxial Growth- латерально ограниченный
эпитаксиальный рост CSj емкость области обеднения Si
Cz-КНИ структуры КНИ, изготовленные на основе Si, полученного методом
Чохральского
Din плотность состояний на границе раздела Si/BOX; эВ ’см'
Ии плотность состояний на границе раздела Si/OX; эВ~'см‘
DeleCut ion irradiated DELEted oxide CUT - метод формирования структур
КНИ, основанный на водородо-индуцированном переносе слоя Si на

DBP термически-окисленную подложку Dibutyl Phthalate - дибутил фталат
DEP Diethyl Phthalate - диэтил фталат
DOP Dioctyl Phthalate - диоктил фталат
E, электрическое поле в слое Si на границе раздела Si/BOX
e2 электрическое поле в слое Si на границе раздела Si/OX
Ebox электрическое поле в скрытом окисле структур КНИ
Eox электрическое поле в окисле на поверхности Si
Es, электрическое поле в слое Штерна
є диэлектрическая проницаемость среды
So электрическая постоянная
GB -транзистор Grounded-Body - транзистор с заземленным телом (островком КНИ)
FB - транзистор Floating-Body - транзистор с плавающим потенциалом тела (островка
Fz-КНИ КНИ) структуры КНИ, изготовленные на основе Si, выращенного методом
HBsAg зонной плавки поверхностный антиген вируса гепатита В
HF-дефекты все виды дефектов, выявляемые после обработки Si в плавиковой
Qci кислоте заряд подвижных носителей вблизи границы раздела Si/BOX
Qc2 заряд подвижных носителей вблизи границы раздела Si/OX
Qad эффективный заряд в диффузионной части электролита (суммарный
Qm заряд Qtp и Qm) заряд подвижных ионов в в диффузионной части электролита
Qo заряд на поверхности Si02 из-за обменных процессов с протонами

электролита
Qbox заряд в скрытом слое Si02 структур КНИ
Qox заряд в слое Si02 на поверхности Si
Qtp заряд тестовых (целевых) частиц
фе| контактная разность потенциалов между Si и электролитом
кремниевой подложкой в структурах КНИ (или между Me и Si в МОП структурах)
Фо расстояние до уровня Ферми, отсчитанное от середины запрещенной

v|/i потенциал на границе раздела Si/BOX
Ф2 потенциал на границе раздела Si/OX
фох потенциал окисле на поверхности Si
|/0х потенциал скрытом слое Si
x|/SUb потенциал в подложке структур КНИ
ISFET Ion Sensitive Field-Effect Transistor- ионно-селективный полевой
транзистор
L длина канала МОП-транзистора
Ld длина Дебая
обр подвижность носителей заряда в обогащении
'"'У подвижность носителей заряда в инверсии
N(a)d концентрация акцепторов (доноров)
Nii плотность состояний на границе раздела Si/SiCh; см'
Ох окисел на поверхности слоя Si
PCR PCR- polymerase chain reaction- полимеразно-цепная реакция

скрытый слой S1O2 (BOX)
(а) (б)
Рис. 1.4. Атомарное разрешение сечения структуры КНИ-DeleCut (граница Si/Si02 сформирована бондингом, [21]) - (а) и сечения МОП-транзистора на КНИ- Smart-Cut (обе границы Si/Si02 сформированы термическим окислением Si, [52]) - (б).