Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Наумова, Ольга Викторовна
01.04.10
Докторская
2012
Новосибирск
323 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Список сокращений и условных обозначений
АМС Airborne Molecular Contamination - молекулярные загрязнения,
присутствующие в воздухе AFP альфафетопротеин
BG или G2 Back-Gate - обратный затвор КНИ-МОП транзистора, в качестве
которого используется подложка структур КНИ BFIT Butyl Hydroxy Toluene - Бутилгидрокситолуол
BOX Buried Oxide - скрытый окисел структур КНИ
BSA Bovine Serum Albumin - бычий сыворотночный альбумин
Сіп емкость состояний на границе раздела Si/BOX
Cit2 емкость состояний на границе раздела Si/OX
Сьох емкость скрытого окисла структур КНИ
Cd емкость диффузионной части электролита
Cai емкость двойного слоя электролита
С0х емкость окисла на поверхности Si
CLSEG Confined Lateral Selective Epitaxial Growth- латерально ограниченный
эпитаксиальный рост CSj емкость области обеднения Si
Cz-КНИ структуры КНИ, изготовленные на основе Si, полученного методом
Чохральского
Din плотность состояний на границе раздела Si/BOX; эВ ’см'
Ии плотность состояний на границе раздела Si/OX; эВ~'см‘
DeleCut ion irradiated DELEted oxide CUT - метод формирования структур
КНИ, основанный на водородо-индуцированном переносе слоя Si на
DBP термически-окисленную подложку Dibutyl Phthalate - дибутил фталат
DEP Diethyl Phthalate - диэтил фталат
DOP Dioctyl Phthalate - диоктил фталат
E, электрическое поле в слое Si на границе раздела Si/BOX
e2 электрическое поле в слое Si на границе раздела Si/OX
Ebox электрическое поле в скрытом окисле структур КНИ
Eox электрическое поле в окисле на поверхности Si
Es, электрическое поле в слое Штерна
є диэлектрическая проницаемость среды
So электрическая постоянная
GB -транзистор Grounded-Body - транзистор с заземленным телом (островком КНИ)
FB - транзистор Floating-Body - транзистор с плавающим потенциалом тела (островка
Fz-КНИ КНИ) структуры КНИ, изготовленные на основе Si, выращенного методом
HBsAg зонной плавки поверхностный антиген вируса гепатита В
HF-дефекты все виды дефектов, выявляемые после обработки Si в плавиковой
Qci кислоте заряд подвижных носителей вблизи границы раздела Si/BOX
Qc2 заряд подвижных носителей вблизи границы раздела Si/OX
Qad эффективный заряд в диффузионной части электролита (суммарный
Qm заряд Qtp и Qm) заряд подвижных ионов в в диффузионной части электролита
Qo заряд на поверхности Si02 из-за обменных процессов с протонами
электролита
Qbox заряд в скрытом слое Si02 структур КНИ
Qox заряд в слое Si02 на поверхности Si
Qtp заряд тестовых (целевых) частиц
фе| контактная разность потенциалов между Si и электролитом
Фо расстояние до уровня Ферми, отсчитанное от середины запрещенной
v|/i потенциал на границе раздела Si/BOX
Ф2 потенциал на границе раздела Si/OX
фох потенциал окисле на поверхности Si
|/0х потенциал скрытом слое Si
x|/SUb потенциал в подложке структур КНИ
ISFET Ion Sensitive Field-Effect Transistor- ионно-селективный полевой
транзистор
L длина канала МОП-транзистора
Ld длина Дебая
обр подвижность носителей заряда в обогащении
'"'У подвижность носителей заряда в инверсии
N(a)d концентрация акцепторов (доноров)
Nii плотность состояний на границе раздела Si/SiCh; см'
Ох окисел на поверхности слоя Si
PCR PCR- polymerase chain reaction- полимеразно-цепная реакция
скрытый слой S1O2 (BOX)
(а) (б)
Рис. 1.4. Атомарное разрешение сечения структуры КНИ-DeleCut (граница Si/Si02 сформирована бондингом, [21]) - (а) и сечения МОП-транзистора на КНИ- Smart-Cut (обе границы Si/Si02 сформированы термическим окислением Si, [52]) - (б).
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями | Нахабин, Андрей Вадимович | 1984 |
Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5 | Турищев, Сергей Юрьевич | 2004 |
Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса | Ерюков Николай Александрович | 2016 |