Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
- Автор:
Кожемякина, Елена Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дислокационная люминесценция в нитриде галлия | Медведев, Олег Сергеевич | 2018 |
| Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN | Александров, Иван Анатольевич | 2015 |
| Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния | Аржанникова, София Андреевна | 2008 |