Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
- Автор:
Кожемякина, Елена Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений | Ковш, Алексей Русланович | 1998 |
| Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе | Нагиев, Вячеслав Мамедович | 1984 |
| Структура и термостабильность пленок металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов | Пресняков, Михаил Юрьевич | 2014 |