Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
- Автор:
Кожемякина, Елена Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра | Кочура, Алексей Вячеславович | 2000 |
| Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN | Смирнова, Ирина Павловна | 2007 |
| Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей | Осминкина, Любовь Андреевна | 2004 |