Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
- Автор:
Кожемякина, Елена Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении», автор — Кожемякина, Елена Владимировна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2013 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006612868. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структурные и оптические свойства пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников на основе S, Se и Te | Нежданов Алексей Владимирович | 2019 |
| Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников | Ланцова, Ольга Юрьевна | 2003 |
| Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе | Журавлев, Константин Сергеевич | 2005 |