Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
- Автор:
Барановский, Максим Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения | Требунских, Сергей Юрьевич | 2006 |
| Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях | Кручинин, Андрей Александрович | 1984 |
| Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью | Уздовский, Владимир Валерьевич | 2005 |