Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
- Автор:
Барановский, Максим Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs | Крюков, Руслан Николаевич | 2019 |
| МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле | Вайнер, Борис Григорьевич | 1984 |
| Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки | Шмаргунов, Антон Владимирович | 2015 |