Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
- Автор:
Барановский, Максим Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование спиновых взаимодействий в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As методами горячей фотолюминесценции и неупругого рассеяния света с переворотом спина | Димитриев, Григорий Семенович | 2018 |
| Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах | Струлева, Елена Вячеславовна | 1998 |
| Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах | Обухов Сергей Владимирович | 2015 |