Поляризованная люминесценция центров окраски в диэлектрических кристаллах

• Автор: Зилов, Сергей Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Иркутск
• Количество страниц: 268 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Глава
Методы исследования поляризованной люминесценции центров окраски в кристаллах
1.1. Модель классических электродипольных линейных осцилляторов и ротаторов. Методы поляризационных диаграмм и азимутальных зависимостей в кубических кристаллах (литературный обзор)
1.2. Метод поляризационных отношений для определения ориентаций осцилляторов в одноосных кристаллах (литературный обзор)
1.3. Квантово - механическое описание модели линейных осцилляторов и ротаторов [41,42]
1.4. Метод исследования мультипольности и ориентации элементарных осцилляторов в кубических кристаллах, основанный на аксиально-периодической зависимости интенсивности люминесценции [41,42]
1.4.1. Методика исследований
1.4.2. Расчет аксиально-периодических зависимостей интенсивности люминесценции
1.4.3. Эксперимент и обсуждение результатов
1.5. Усовершенствованная модификация пространственномодуляционного метода [53-57]
1.6. Основные выводы главы

Глава
Поляризованная люминесценция СІ- С4 центров окраски в облученных нейтронами кристаллах лейкосапфира
2.1 . Радиационные центры окраски в кристаллах лейкосапфира (литературный обзор)
2.2. Приготовление образцов кристаллов а-А1203
2.3. Поляризованная люминесценция в области 560 нм центров окраски с полосой поглощения 450 нм (С2-центра) [21-27, 102]
2.4. Структурная модель центра окраски с полосой поглощения 450 нм и полосой люминесценции 560 нм (С2 центра)
[22,24,25,84,102]
2.5. Структура и оптические свойства центра с полосами люминесценции 530 и 615 нм (С1-центра) [117-122]
2.5.1. Исследование температурных преобразований спектров поглощения в области 450 нм
2.5.2. Определение ориентации дипольного момента перехода
С1-центра, люминесцирующего в области 615 нм
2.6. Поляризованная люминесценция центра окраски с полосами поглощения при 454 нм и 830 нм (СЗ-центра)
[20,24,25,27]
2.7. Поляризованная люминесценция центра окраски с
полосами поглощения при 1,06 мкм (С4-центра) [27,126]
2.8. Пассивный лазерный затвор для инфракрасной области спектра на основе лейкосапфира с СЗ иС4 центрами окраски [28-31,70]
2.9. Метод разделения полос в спектрах поглощения и люминесценции одноосных кристаллов на основе поляризационных отношений [134,135]

2.9.1. Задача разделения спектров
2.9.2. Разделение спектров поглощения
2.9.3. Разделение спектров люминесценции
2.9.4. Разложение спектров люминесценции а-А1203 с ЦО в области 500 - 700 нм
2.10. Основные выводы главы
Глава
Линейный дихроизм широкой бесструктурной полосы поглощения в облученных нейтронами кристаллах а-А1203
3.1. Спектр поглощения кристаллов а-А120з и линейный дихроизм «пьедестала» (релеевское приближение) [134,147]
3.2. Расчет поляризационного отношения Ак бесструктурной полосы поглощения на основе теории Ми [123-125,153,154]
3.2.1. Оптические свойства сред, содержащих малые частицы
3.2.2.Теоретическая оценка дихроизма
3.2.3. Учет распределения коллоидных частиц по форме
3.2.4. Анализ нормального распределения частиц по
факторам формы
3.3. Температурные преобразования пьедестала в области 400-
800 нм [153,154]
3.4. Роль коллоидных частиц А1 в образовании и преобразовании центров окраски в кристаллах а-А1203 [ 157-162]
3.4.1 Исследование структурных изменений в решетке нейтронно-облученного лейкосапфира [162]
3.4.2. Исследование процессов образования и преобразования
ЦО при изохронном отжиге а-А1203
3.4.3. Кинетика изотермических преобразований центров окраски

На рис. 1.3 изображена только одна ориентация поглощающих (г) и излучающих (г ) из шести возможных.
Например, для случая БМ и когда поглощают и излучают линейные осцилляторы (л - л) формулы для PI и РЕ в ориентациях а, б и в имеют вид [19]:
, ч 1 , „ 4 - sin2 а, (1 + 2 sin2 <р)
(а) PI =—tg а2, РЕ
2 4-srn а2(1 + 2cos <р)
пт 4-sin2 аэ (1 + 2 sin2 <р)
(б) Р1 = ~л , ' 7---ГPE = -tg2ax, (1.4)
4 - sm <2, (1 + 2 cos (p)
/ Л nr 4c(g-2a (2 - 2sin2 a,) 4ctg2a1(2 - 2sin2 a2)
(в) PI =- — , EE-
4 - sin2 a, (1 + 2 cos2 Здесь <р-(р2 — (х,у).
Для случая СМ, когда PI и РЕ не зависят от ф, эти выражения упрощаются и имеют вид [19]:
(а) PI = tg2a2 , РЕ -1 ,
(б) PI = 1 , PE = ~tg2ai , (1.5)
(в) PI = 2ctg2а2 = ypi , РЕ = 2ctg2a{ = j/pE
Аналогично рассчитываются и случаи: (я-ст); (а-я); (о-а). Приведенные выражения справедливы для кристаллических решеток тригональной и гексагональной сингонии, таких, как а-А1203, кварц и т. п.
Анализ рассчитанных значений поляризационных отношений позволяет сделать следующие выводы: