Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge, Sn) - As2, облученных протонами

• Автор: Ведерникова, Татьяна Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 92 с. : ил.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
а(с )- постоянные решетки я и с халькопирита <А> -средний атомный вес соединения (а.е.м.)
/>=//„
(I -плотность вещества (Г/см3)
В - интегральный поток частиц ("доза" облучения) (см-2)
Ес (Еу) - дно зоны проводимости (потолок валентной зоны) кристалла Е - энергия бомбардирующих частиц (МэВ)
Еъ -минимальное значение ширины запрещенной зоны кристалла (эВ)
Е3 (Ер) - энергия 5 (р) - орбиталей аниона (А) и катиона (С) (эВ)
<ЕС> - средняя энергетическая щель между нижней зоной проводимости и верхней валентной зоной по всей ЗБ кристалла (эВ)
ЕЛ - электронное сродство (эВ)
Е — уровень Ферми полупроводника (эВ)
Е1шх - предельное положение уровня Ферми в облученном полупроводнике (эВ)
- первый потенциал ионизации (эВ) у - плотность тока (А/см2)
/«„(/Яр) - эффективная масса электронов (дырок)
п(р) - концентрация свободных электронов (дырок) (см 3)
щ — собственная концентрация носителей (см’3) I
ЛГу.(Ау) = 2[2я/«„(/яр) кТ / Л2]3/2 = 4.83х10ь[игп(»/р)]3/27т 3/2 -плотность состояний, приведенная ко дну зоны проводимости (потолку валентной зоны) кристалла (см’3)
Кн - постоянная Холла (см3/Кул)
/?з — электросопротивление (Ом)
<р > - средний проецированный пробег протонов (мкм)
РД- радиационные дефекты
Т,1Л - температура плавления материала (°С)
Т,т, - температура измерения (°С, К)
Ра™ - температура отжига (°С, К)
ZB - зона Бриллюэна кристалла

г = (2-с/а) -величина тетрагонального сжатия решетки халькопирита Aso - спинорбитальное расщепление валентной зоны (эВ)
Дсг -кристаллическое расщепление валентной зоны (эВ)
8= AJE% , уЗ= кТ/Е%, т) =F/kT
а/p удельная электропроводность/удельное сопротивление (Ом''см'1/ Омхсм) Fп(М>) ” подвижность электронов (дырок) (см2/В с)

СОДЕРЖАНИЕ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
Введение
1.1. Собственные дефекты решетки в соединениях П-1У-У2
1.2. Радиационные дефекты в соединениях П-1У-У2
ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Введение
2.1. Подготовка, обработка и облучение образцов протонами
2.2. Обработка экспериментальных данных
2.2.1. Изохронный отжиг облученного материала
ГЛАВА 3. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ДИАРСЕНИДАХ ЦИНКА -ОЛОВА (гиБцАвД, -ГЕРМАНИЯ (гпСеАвД, -КРЕМНИЯ (гАвД Введение
3.1. Диарсенид цинка-олова (гпБпАвД
3.2. Диарсенид цинка-германия пСеАвД
3.3. Диарсенид цинка-кремния (гп81А82)
Заключение по главе
ГЛАВА 4. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ДИАРСЕНИДАХ КАДМИЯ - ОЛОВА (СйЭпАяД, -ГЕРМАНИЯ (С<ШеАз2), -КРЕМНИЯ (СсАвД Введение
4.1. Диарсенид кадмия-олова (СйЗпАвД
4.2. Диарсенид кадмия-германия (СсЮеАвД
4.3. Диарсенид кадмия-кремния (СсАвД
4.4: Заключение по главе

Поток протонов, см
Рис. 3.1. Дозовые изменения постоянной Холла | К | н(1), электропроводности ст(2) и положения уровня Ферми /ДЗ) при протонном облучении рпБпАяг (До = З.бхЮ18 см'3, ст0 = 6.7x10' Омхсм). Гтм =295 К.

10 1 §
н>л§,
10"’
Рис. 3.2. Изохронный отжиг (10 мин.) постоянной Холла /?н (1-3) и электропроводности о (4) кристаллов /?-2п8пАз2 (р - З.бхЮ18 см'3) облученных интегральными потоками протонов (5 МэВ) £>=(1;2;20;20)х1015см~2 соответственно. Ттм — 295К.