Формирование поверхностных атомных структур при взаимодействии металлов Cu, Ag, Au с молекулярным хлором

• Автор: Черкез, Владимир Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 138 с. : ил.

Оглавление
Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы
1.1 Терминология и список сокращений
1.2 Взаимодействие галогенов с поверхностью металлов
1.2.1 Общие закономерности реакции галогенировапия
1.2.2 Монослой хемосорбированных атомов галогена
1.2.3 Взаимодействие атомов галогена с подложкой
1.2.4 Латеральное взаимодействие между атомами галогена
1.2.5 Малая степень покрытия поверхности (0 < 0.2-0.4 МС)
1.2.6 Соразмерные решетки атомов галогена
1.2.7 Частично-соразмерные и несоразмерные решетки
1.2.8 Структура насыщенного монослоя
1.2.9 Реконструкция поверхности
1.3 Выбор объектов исследования
1.3.1 Система Cl/Ag(l 11)
1.3.2 Система С1/Аи(111)
1.3.3 Система С1/Си(111)
1.3.4 Система С1/Си(110) ■
Выводы к Главе 1
ГЛАВА 2. Методики эксперимента и теоретических расчетов
2.1 Введение
2.2 Экспериментальные установки
2.3 Подготовка образцов и проведение адсорбции хлора
2.4 Электронная оже-спектроскопия
2.5 Ди фракция медленных электронов 3
2.6 Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия
2.7 Методика проведения экспериментов
2.8 Основы теории функционала плотности
2.9 Методика проведения теоретических расчетов
Выводы к Главе 2
ГЛАВА 3. Поверхность Ag(lll) при воздействии молекулярного хлора
3.1 Общая характеристика адсорбционной системы

3.2 Низкая степень покрытия (в < 0.33 МС)
3.3 Переход из соразмерной в несоразмерную фазу при 0.33 < 0 < 0.42 МС (сжатие соразмерной решетки (V3xV3)R30°)
3.4 Фаза 3x3
3.5 Насыщенное покрытие хлора на поверхности Ag(l 11): кластеры Ag3Cb
Выводы к Главе 3
ГЛАВА 4. Поверхность Au(lll) при воздействии молекулярного хлора
4.1 Низкие степени покрытия (0< 0.33 МС)
4.1.1 Снятие реконструкции поверхности
4.1.2 Квазигексагоналъная сверхструктура из атомов хлора
4.1.3 Размерное квантование в квазигексагоналъной структуре
4.2 Структура типа пчелиных сот (0 > 0.33 МС)
Выводы к Г лаве 4
ГЛАВА 5. Поверхность Cu(lll) при воздействии молекулярного хлора.
5.1 Введение. Данные ДМЭ
5.2 Формирование соразмерной решетки ( 0 <0.33 МС)
5.2 Сжатие соразмерной решетки ( 0 > 0.33 МС)
Заключение к главам 3-5. Анализ адсорбции хлора на грань (111) меди, серебра и золота
ГЛАВА 6. Поверхность Си(110) при воздействии молекулярного хлора
6.1 Данные ЭОС и ДМЭ
6.2 Низкая степень покрытия (область I):ц < 0.4
6.2.1. СТМ-данные (300 К)
6.2.2. Сверхнизкие степени покрытия. Предпочтительные места адсорбции
6.2.3. Реконструкция поверхности типа 1 у-п
6.3 Реконструкция типа разреженных доменных стенок и формирование решетки с(2х2) (область II): 0.4 6.3.1 СТМ-данные (300 К)
6.3.2 Процесс формирования линейных разреженных доменных стенок
6.3.3 Расшифровка атомной структуры разреженных доменных стенок
6.4 Сжатие решетки с(2х2) и фасетирование поверхности (область III): 0.90 < // < 1.40
6.4.1 Сжатие решетки с(2*2)
6.4.2 Фасетирование
Выводы к Главе б
Заключение
Благодарности
Список литературы

Рис. 11. Схема CBB установки, применявшейся для исследований адсорбированных галогенов при комнатной температуре. Вид сверху: (1) аналитическая камера, (2) шлюзовая камера, (3) СТМ-камера, (4) камера подготовки, (5) оже-спектрометр, (6) масс-спектрометр, (7) ионные пушки, (8) пьезокерамические натекатели для напуска газа, (9) дифрактометр медленных электронов, (10) вакуумный модуль СТМ (показан только сканер), (11) электронная пушка, (12) магнитный линейный шток шлюзовой камеры, (13) магнитный линейный шток СТМ-камеры, (14) универсальный 5-стспенной манипулятор аналитической камеры, (15) универсальный 5-степешюй манипулятор СТМ-камеры (расположен над сканером СТМ), (16) подвижная рейка с четырьмя дополнительными прогреваемыми позициями для образцов или игл, (17) шиберные затворы, (18) фланец быстрой загрузки, (19) смотровые окна, (20) оптический микроскоп.
(игл) для сканирующего туннельного микроскопа (СТМ-игл), СТМ-камеры 3 и камеры подготовки 4. Аналитическая камера оснащена оже-Спектрометром 5 с анализатором электронов типа «цилиндрическое зеркало» (Riber ОРС-200), квадрупольным масс-спектрометром 6 (Riber Q-156), сканирующей ионной пушкой 7 (Riber CI-50) и системой напуска газов 8. В СТМ-камере находится вакуумный модуль СТМ (GPI-300) 10 и дифрактометр медленных электронов 9 с трехсеточным анализатором электронов (Vacuum Generators 640 RVL). Аналитическая камера отделена от камеры подготовки и шлюзовой камеры шиберными затворами 17 и оснащена системой откачки, включающей в себя магниторазрядный и титановый сублимационный насосы. СТМ-камера имеет аналогичную систему откачки. Базовое давление в обеих камерах анализа составляет 8-10_п Topp.
Подготовка образцов осуществляется в аналитической камере 1, содержащей многофункциональный 5-степенной манипулятор 14. На манипуляторе смонтированы системы охлаждения и нагрева, позволяющие варьировать температуру образца в пределах 90-1100 К. Нагрев образца проводится путем пропускания электрического тока через спираль, помещенную сзади образца. Охлаждение достигается за счет прокачки паров жидкого азота через резервуар, соединенный хладопроводом с держателем образца.