Размерные эффекты и магнитные свойства аморфных наноструктур на основе полупроводников и металлов

• Автор: Пудонин, Федор Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 264 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ГЛАВА 1. КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ 8І И СВЕРХРЕШЕТКАХ (ві-
$ІС>2^
1.1.ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИ
КОВ И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
1ЛЛ.ФИЗИЧЕСКИЙ МЕХАНИЗМ КАТОДНОГО РАСПЫЛЕНИЯ
1 Л.2.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
1Л.З.ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
НА РОСТ ТОНКИХ ПЛЕНОК
1ЛЛ.ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ КОНСТАНТ С
ПОМОЩЬЮ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
1.2. РАЗ МЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ (8і-8Ю2)м
1.2.1 .ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР (вІ-вІО^.
ОДНОСЛОЙНАЯ МОДЕЛЬ
1.2.2.ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР (8І-8І02),ч.
МНОГОСЛОЙНАЯ МОДЕЛЬ
2. ГЛАВА 2. ЛАВИННЫЙ ОТЖИГ АМОРФНЫХ ПОЛУ ПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ЗА СЧЕТ ТЕПЛА, ВЫДЕЛЯЮЩЕГОСЯ ПРИ КРИСТАЛЛИЗИИ
2.1.КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ АМОРФНЫХ МЕТАЛЛОВ КАК
ИСТОЧНИК ТИПЛА ПРИ ОТЖИГЕ ПЛНОК
2.2.ОТЖИГ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ві И (ві - 8Ю2)г<.
3. ГЛАВА 3. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ

; СТРУКТУР (8ь8Ю2)к с УЛЬТРАМАЛЫМ ПЕРИОДОМ
3.1.ОСОБЕННОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХРЕШЕТОК СО СВЕРХТОНКИМИ СЛОЯМИ. ЭЛЕКТРОННОГРАФИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
3.2.ПЕРЕСТРОЙКА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ
ПОД ДЕЙСТВИЕМ АТОМНОЙ БОМБАРДИРОВКИ М
4. ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ РАЗМЕРНОГО КВАНТОВАНИЯ В ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ
4.1.ВВЕДЕНИ Е
4.2.ИЗГОТОВЛЕНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР
4.3.ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ В ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЯХ
4.4.0СОБЕННОСТИ РАЗМЕРНОГО КВАНТОВАНИЯ В
СЛОЯХ А1 И Си
5. ГЛАВА 5. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ МАГНИТНЫХ слоев Со№, Со и Ее№
5.1.ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ СЛОЕВ
5.2.МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ КЕРРА
5.3.МАГНИТО ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ
г СЛОЕВ Ее№
5.4.ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТО ОПТИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА СЛОЕВ Со И Со№
6. ГЛАВА 6. МАГНИТНЫЕ И МАГНИТООПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ ФЕРРОМАГНЕТИК-ПОЛУПРОВОДНИК

6.1.СТРУКТУРЫ Ке-СаЛв-Ес С АНТИФЕРРОМАГИИТ-НЫМ ТИПОМ ОБМЕННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
6.2.ИССЛЕДОВАНИЕ ОБМЕННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В СТРУКТУРАХ Ре-гп Ге-Ре
6.3.СПИН - ТУННЕЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ

7. ГЛАВА 7. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ МАГНИТНЫХ НАНООСТРОВОВ
7.1.ОСОБЕННОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР ИЗ МАГНИТНЫХ НАНООСТРОВОВ И МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ НА ИХ ОСНОВЕ
7.2.МАГНИТОСОПРОТИВЛЕИИЕ И МАГНИТООПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ МАГНИТНЫХ НАНООСТРОВОВ
7.3.СЕНСОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ МАГНИТНЫХ НАНООСТРОВОВ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ной камере между катодом 1 (проволока из Та) и анодом 2 зажигается разряд, который является источником ионов. Эти ионы через диафрагму вытягиваются в основную вакуумную камеру. Магнитная катушка, которая создает магнитное поле в центре камеры (максимальная величина - 100 Э), служит для локализации разряда в центре камеры и тем самым предотвращает бомбардировку подложек ионами Аг. Это бывает важно в случае полупроводниковых подложек, в которых при бомбардировке высокоэнергетичными ионами могут возникать радиационные дефекты, а поверхность может частично аморфизоваться. Параметры разряда могут задаваться по желанию, но, конструктивно, не могут выходить за пределы определенных диапазонов: для напряжения разряда - 20-50 В, для тока разряда - 20-50 А. Как и в большинстве установок катодного распыления в используемой здесь системе присутствуют специальные схемы стабилизации параметров разряда в течении всего технологического процесса. Катод-мишень является довольно сложным устройством и состоит из:
а) заземленного экрана 7 с отверстием диаметра 64 мм,
б) анода 6, который в данной конструкции является заземленным диском с четырьмя отверстиями диаметром 62 мм (размер этих отверстий зависит от размера мишени и может быть уменьшен до 40-45 мм)
в) катода 10, состоящего из 4-х различных мишеней диаметром 60 мм (или меньше, но не менее 40 мм) и который можно поворачивать вокруг своей оси на любой угол вместе с анодом, жестко закрепленным на катоде с помощью изолирующих керамических держателей. Вращение катода осуществляется с наружной стороны камеры с помощью вакуумного ввода вращения.
На каждый катод 9 можно подать ЯР напряжение заданной величины, но распыляться будет лишь та катод-мишень, которая находится непосредственно под отверстием в экране. Контролируемыми величинами являются ГЛ7 мощность, выделяющаяся на мишени и отраженная от мишени. Обычно ис-