Фазовые переходы и образование неоднородных состояний в сегнетоэлектрических и магнитных полупроводниках

• Автор: Мамин, Ринат Файзрахманович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 250 с. : ил.

Оглавление
Введение
1 Неоднородные состояния вблизи фотостимулированных фазовых переходов
1.1 Введение
1.2 Модель и метод построения решения
1.3 Бегущие и статические автосолитоны
1.4 Периодическая гетерофазная структура
1.5 Область существования и обсуждение
2 Термозаполнение ловушек и эффекты запаздывания
2.1 Термолокализации носителней заряда и характерные температуры
2.2 Фазовые переходы в полупроводниках при быстром изменении температуры
2.3 Влияние термозаполнения ловушек на устойчивость фаз
3 Особенности поведения несоразмерной фазы в полупроводниках
3.1 Термодинамическое описание несоразмерной фазы в полупроводниках
3.2 Эффекты памяти в несоразмерной фазе в полупроводниках
3.3 Глобальный динамический гистерезис в несоразмерной фазе
в полупроводниках

4 Влияние локализации носителей заряда на дефектах на размытие фазовых переходов
4.1 Дефекты со свойствами, изменяющимися с температурой
4.2 Трансформация диэлектрических свойств в кристаллах PbstGei^SUsOn
4.3 Особенности диэлектрических свойств в сильно дефектной системе
5 Электронные свойства и особенности размытого фазового
перехода в Pb (Mg1/3Nb2/3) 03
5.1 Свойства электронной системы Pb(Mgi/3Nb2/3)
5.2 Фотостимулированное изменение диэлектрических свойств в Pb(Mg1/3Nb2/3)
5.3 Время задержки фазового перехода в низкотемпературной фазе Pb(Mg1/3Nb2/3)
6 Особенности возникновения фазового расслоения с зарядовыми неоднородностями
6.1 Локализованные зарядовые неоднородности и фазовое расслоение вблизи фазового перехода второго рода
6.2 Гигантская диэлектрическая восприимчивость и магнитоёмкостной эффект в манганитах
Заключение
Список авторской литературы
Список цитированной литературы

Введение
Работа посвящена исследованию особенностей фазовых переходов и процессов образования пространственно неоднородных состояний в сегнетоэлек-триках и магнетиках с полупроводниковыми свойствами. Изучены явления, которые возникают в результате взаимовлияния подсистемы, в которой происходит фазовый переход, и электронной подсистемы. Сложность этих систем связана со следующими обстоятельствами: наличие нелинейностей вблизи фазовых переходов; наличие двух сильно взаимодествующих подсистем - электронной системы полупроводника и подсистемы, в которой происходит фазовый переход. При фазовом переходе в такой системе могут образовываться неоднородные состояния, которые обусловлены не свойствами отдельной подсистемы, а являются результатом взаимодествия подсистем. Актуальность этой темы связана с неослабевающим интересом к изучению фазовых переходов в таких сложных системах и с возрастающей практической значимостью исследования пространственно неоднородных состояний.
Пространственно неоднородные среды являются актуальным объектом исследований в связи с тем, что их изучение позволяет найти материалы с новыми полезными свойствами. Часто такие среды получают путем конструирования объектов со сложной внутренней геометрией во время роста образцов либо при последующем локальном внешнем воздействии. В процессе роста удается получить образцы, в которых в матрице одного соединения находятся мелкие вкрапления другого, либо образцы представляют собой слоистые структуры с чередованием слоев соединений со всевозмож-

Зона проводимости ... , -
і і і
гН ►

, 1 і

Г 1 Г

Валентная зона
... . __ _ _

Рис. 1.2. Зонная энергетическая схема для полупроводника п - типа (описание смотрите в тексте).