Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в полупроводниковых наноструктурах

• Автор: Гец, Дмитрий Станиславович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 210 с. : ил.

Оглавление
Введение
Г лава 1. Квантование характеристик продольного транспорта носителей в полупроводниках в условиях внешнего магнитного поля
1.1. Уровни Ландау
1.2. Экспериментальные условия наблюдения квантования Ландау
1.3. Электронный парамагнитный резонанс в полупроводниках
1.3.1. Правила отбора
1.3.2. Сверхтонкое взаимодействие
1.4. Циклотронный резонанс в монокристаллическом кремнии
Глава 2. Получение и свойства сверхузких кремниевых квантовых ям
2.1. Самоупорядоченные кремниевые квантовые ямы на поверхности Б]' (100)
2.2. Электрические и оптические свойства сверхузких кремниевых квантовых ям
2.3. Сверхпроводимость 5-барьеров, ограничивающих сверхузкие кремниевые квантовые ямы на поверхности (100)
2.4. Джозефсоновские переходы в краевых каналах кремниевых сандвич-наноструктур. Отрицательное дифференциальное сопротивление, ступени Фиске и Шапиро
2.5. Электрическое детектирование спинозависимой рекомбинации и спинозависимого рассеяния носителей на точечных и протяженных дефектах в полупроводниках
2.6. Спинозависимый транспорт носителей в кремниевых сандвич-наноструктурах
2.6.1. Спинозависимые эффекты в кремниевых сандвич-наноструктурах
2.6.2. Квантовые точечные контакты в сверхпроводящих
краевых каналах кремниевых сандвич-наноструктур
2.6.3. Квантовый спиновый эффект Холла
Выводы
Постановка задачи
Глава 3. Осцилляции Шубникова - де Гааза в кремниевых наноструктурах
3.1. Осцилляции Шубникова - де Гааза в низкоразмерных полупроводниковых структурах
3.2 Осцилляции Шубникова - де Г ааза в кремниевых сандвич-наноструктурах Выводы
Глава 4. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс в полупроводниковых сандвич-наноструктурах
4.1. ЭДЭПР спектры точечных центров: фосфора, кислород содержащих термодоноров N1.8 и N1.10, нейтрального железа, эрбия в кремниевых сандвич-наноструктурах
4.2. Механизм регистрации ЭДЭПР по изменению магнетосопротивления в полупроводниковой сандвич-наноструктуре
4.3. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров сильнолегированных бором сандвич-наноструктурах на основе бН-БіС Выводы
Глава 5. Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых сандвич-наноструктурах
5.1. Циклотронный резонанс в кремниевых сандвич-наноструктурах

5.2. Электрическое детектирование циклотронного резонанса двумерных дырок в сверхузких кремниевых квантовых ямах
Выводы
Заключение
Список литературы
Список публикаций автора по теме работы

+ -1. Х4
2 ГГЧ_

м1 *

£ " ~

(а) (Ь)
Рис. 4. Энергетические уровни атома водорода в постоянном магнитном поле (а) и схема разрешенных оптических переходов в случае слабого (к,т) и сильного (Г) микроволнового поля (Ь) [Вертц, 1975].