Изучение процессов заселения уровней атомов и ионов криптона через канал электронно-стимулированной десорбции

• Автор: Козлов, Игорь Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 127 с. : ил

Оглавление
Введение
Глава 1 Обзор литературы по изучению явления
электронно-стимулированной десорбции
Глава 2 Экспериментальная установка и
методика измерений
2.1 Общая характеристика
2.2 Трубка возбуждения
2.3 Вакуумная установка
2.4 Система регистрации излучения
2.5 Методика измерений
2.6 Изменения конструкции электронной пушки
Глава 3 Результаты работы и их обсуждение
3.1 Результаты работы и их обсуждение
3.2 Времена жизни определенные по спаду
интенсивности пиков
3.3 Определение квантового выхода излучения через
канал электрон-стимулированной десорбции возбуждённых молекулярных ионов криптона
3.4 Изучение кинетики заселения некоторых уровней
инертных газов в экспериментах с импульсным электронным пучком

3.5 Сравнение формы пиков при разном
распределении потенциалов
3.6 Срыв частиц с двух электродов
3.7 Использование моделей, описывающих образование возбужденных молекулярных ионов
и заселение уровней атомов и ионов криптона
Заключение
Список цитированной литературы

Введение
Значительное расширение в последние десятилетия области применения и изучения плазмы в науке и технике поставило перед учеными комплекс задач, связанных с диагностикой плазменных объектов, и с моделированием процессов, происходящих в плазме. Информация о различных механизмах возбуждения атомов в плазме очень важна при изучении астрофизических объектов, при проектировании источников света, ОКГ, в плазмохимии и т.д.
Для правильного анализа состояний частиц в плазме требуется знать различные константы, характеризующие их взаимодействие между собой. Необходимо также получить четкое представление о влиянии различных условий на процессы образования и распада возбужденных частиц. Так заселение энергетических уровней в инертных газах и в парах металлов через диссоциацию комплексных ионов десорбированных с поверхности электродов в ряде случаев может составить серьезную конкуренцию прямому электронному возбуждению этих уровней из основного состояния. Именно этот процесс и изучается в данной работе.
Первые экспериментальные и теоретические работы, посвященные исследованию оптических свойств плазмы, появились более 50 лет назад, и в настоящее время накоплен значительный материал в этой области. Однако далеко не все вопросы, связанные с процессами образования и разрушения

подбирались такими, чтобы каждый импульс полностью срывал весь а-слой.
В интервале времени между импульсами поля молекулы 32 адсорбируются и взаимодействуют, образуя молекулы с большим числом атомов серы - 84—»85—>37—. Чем меньше частота следования импульсов поля, тем больше время протекания реакции 1*, тем больше атомов в молекулах серы, сорванных с эмиттера. Так, при 1к<1,0 мс регистрируются в ОСНОВНОМ молекулы б4 и Б5, при 1к.<70мс - Бб и Э7, при 1к>150мс десорбировались практически только молекулы бв.
Таким образом, на вольфрамовой поверхности в слабо связанном а -слое протекают химические реакции образования наиболее устойчивой при комнатной температуре молекулы Бв из более простых адсорбированных на этой поверхности двухатомных молекул серы.
Данные, полученные в рассмотренной выше работе, позволяют предположить, что на поверхности по всей вероятности, возможен также и процесс образования молекул из адсорбированных на ней атомов.
Подтверждением этому могут служить результаты, полученные в целом ряде работ [45-50] в которых изучалась диффузия атомов металлов на поверхности вольфрамового