Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Козлов, Игорь Евгеньевич
01.04.05
Кандидатская
2003
Санкт-Петербург
127 с. : ил
Стоимость:
499 руб.
Оглавление
Введение
Глава 1 Обзор литературы по изучению явления
электронно-стимулированной десорбции
Глава 2 Экспериментальная установка и
методика измерений
2.1 Общая характеристика
2.2 Трубка возбуждения
2.3 Вакуумная установка
2.4 Система регистрации излучения
2.5 Методика измерений
2.6 Изменения конструкции электронной пушки
Глава 3 Результаты работы и их обсуждение
3.1 Результаты работы и их обсуждение
3.2 Времена жизни определенные по спаду
интенсивности пиков
3.3 Определение квантового выхода излучения через
канал электрон-стимулированной десорбции возбуждённых молекулярных ионов криптона
3.4 Изучение кинетики заселения некоторых уровней
инертных газов в экспериментах с импульсным электронным пучком
3.5 Сравнение формы пиков при разном
распределении потенциалов
3.6 Срыв частиц с двух электродов
3.7 Использование моделей, описывающих образование возбужденных молекулярных ионов
и заселение уровней атомов и ионов криптона
Заключение
Список цитированной литературы
Введение
Значительное расширение в последние десятилетия области применения и изучения плазмы в науке и технике поставило перед учеными комплекс задач, связанных с диагностикой плазменных объектов, и с моделированием процессов, происходящих в плазме. Информация о различных механизмах возбуждения атомов в плазме очень важна при изучении астрофизических объектов, при проектировании источников света, ОКГ, в плазмохимии и т.д.
Для правильного анализа состояний частиц в плазме требуется знать различные константы, характеризующие их взаимодействие между собой. Необходимо также получить четкое представление о влиянии различных условий на процессы образования и распада возбужденных частиц. Так заселение энергетических уровней в инертных газах и в парах металлов через диссоциацию комплексных ионов десорбированных с поверхности электродов в ряде случаев может составить серьезную конкуренцию прямому электронному возбуждению этих уровней из основного состояния. Именно этот процесс и изучается в данной работе.
Первые экспериментальные и теоретические работы, посвященные исследованию оптических свойств плазмы, появились более 50 лет назад, и в настоящее время накоплен значительный материал в этой области. Однако далеко не все вопросы, связанные с процессами образования и разрушения
подбирались такими, чтобы каждый импульс полностью срывал весь а-слой.
В интервале времени между импульсами поля молекулы 32 адсорбируются и взаимодействуют, образуя молекулы с большим числом атомов серы - 84—»85—>37—. Чем меньше частота следования импульсов поля, тем больше время протекания реакции 1*, тем больше атомов в молекулах серы, сорванных с эмиттера. Так, при 1к<1,0 мс регистрируются в ОСНОВНОМ молекулы б4 и Б5, при 1к.<70мс - Бб и Э7, при 1к>150мс десорбировались практически только молекулы бв.
Таким образом, на вольфрамовой поверхности в слабо связанном а -слое протекают химические реакции образования наиболее устойчивой при комнатной температуре молекулы Бв из более простых адсорбированных на этой поверхности двухатомных молекул серы.
Данные, полученные в рассмотренной выше работе, позволяют предположить, что на поверхности по всей вероятности, возможен также и процесс образования молекул из адсорбированных на ней атомов.
Подтверждением этому могут служить результаты, полученные в целом ряде работ [45-50] в которых изучалась диффузия атомов металлов на поверхности вольфрамового
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Слабосвязанные валентные состояния молекулы йода и оптические переходы с их участием | Батуро, Вера Владимировна | 2015 |
Пространственно-временные и спектральные характеристики лазерной плазмы в области взаимодействия плазменных фронтов при оптическом пробое в нормальной атмосфере | Нагорный, Иван Григорьевич | 2005 |
Обратные задачи синтеза и распознавания в оптике многослойных покрытий | Трубецков, Михаил Кириллович | 2001 |