Оптические свойства микросужений и квантовых точек с примесными центрами атомного и молекулярного типа во внешних электрическом и магнитном полях

• Автор: Прошкин, Валерий Александрович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Пенза
• Количество страниц: 153 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава 1. Магнитооптические свойства 0~ — и 79 — негров в квантовом микросужении
1.1 Введение
1.2 Дисперсионное уравнение электрона, локализованного на 79 — центре в сечении узкого горла микросужения
1.3 Расчет сечения фотоионизации 79“ —центра в микросужении
1.4 Спектральная зависимость сечения фотоионизации. Фактор геометрической формы микросужения
1.5 Термы молекулярного иона ££ в квантовом сужении при наличии продольного магнитного поля поля
1.6 Сечение фотоионизации -центра в микросужении во внешнем
магнитном поле
Выводы к главе
Глава 2. Электрооптика дискообразных квант овых точек с 79 — центрами
2.1 Введение
2.2 Энергия связи 79~ - состояния в дискообразной квантовой точке при наличии внешнего электрического поля
2.3 Нормировка волновой функции электрона локализованного на 77° -центре в дискообразной квантовой точке
2.4 Коэффициент примесного поглощения в квазинульмерной структуре с дискообразными квантовыми точками в условиях внешнего однородного
электрического поля
Выводы к главе

Глава 3. Энергетический спектр D2 - центра в полупроводниковой
квантовой точке при наличии внешних электрического и магнитного полей
3.1 Введение
3.2 Термы примесного молекулярного иона D2 в антипараллельных электрическом и’магнитном полях
3.3 Термы примесного молекулярного иона D~ в КТ в скрещенных
электрическом и магнитном полях
Выводы к главе
Глава 4. Фотовозбуждение примесных молекулярных ионов D- в структурах с квантовыми точками при наличии внешнего
электрического и магнитного полей
4.1 Введение
4.2. Расчет матричного элемента оптического перехода между g - и и -термами в D2 -системе
4.3 Спектральная зависимость коэффициента примесного электроопти-ЧЄСКОГО поглощения, связанного С фотовозбуждением £>2 -центров
4.4 Коэффициент примесного поглощения, связанного с фотовозбужде-нием D~ - центров в квазинульмерной структуре при наличии внешних
электрического и магнитного полей
Выводы к главе
Заключение
Список авторских публикаций по теме диссертации
Библиграфический список используемой литературы

Введение
Физика низкоразмерных структур - актуальнейшая и наиболее динамично развивающаяся область современной физики твердого тела. Интерес к этой области связан как с принципиально новыми фундаментальными научными проблемами и физическими явлениями, так и с перспективами создания на основе уже открытых явлений совершенно новых квантовых устройств и систем с широкими функциональными возможностями для опто - и наноэлектроники, измерительной техники, информационных технологий нового поколения, средств связи и пр. Результатом исследований низкоразмерных систем стало открытие принципиально новых, а теперь уже широко известных явлений, таких как целочисленный и дробный квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе, вигнеровская кристаллизация квазидвумерных электронов и дырок, обнаружение новых композитных квазичастиц и электронных возбуждений с дробными зарядами, высокочастотных блоховских осцилляций, а также многое другое. Современные полупроводниковые лазеры на гетеропереходах также основаны на использовании низкоразмерных систем (структуры с квантовыми ямами (КЯ), самоорганизованными квантовыми точками (КТ) и квантовыми нитями (КН)). Наиболее выдающиеся достижения в этой области отмечены тремя Нобелевскими премиями по физике (1985 г. - за открытие квантового эффекта Холла; 1998 г. - за открытие дробного квантового эффекта Холла; 2000 г. - за труды, заложившие основы современных информационных технологий).
Развитие этой области открыло возможности конструирования средствами зонной инженерии и инженерии волновых функций и последующего изготовления с помощью современных высоких технологий наноструктур с электронным спектром и свойствами, требуемыми для обнаружения и изучения новых физических явлений или для соответствующих приложений. Сконструированные таким образом
случае сильной локализации электрона, когда Лва»1 (лй' - радиус
связанного £>~ - состояния) влиянием потенциала примеси на основное состояние МС можно пренебречь.
Используя стандартную процедуру метода потенциала нулевого радиуса (см. например [73]), получим уравнение, определяющее зависимость энергии
связанного состояния Е IX - центра от параметров МС, положения
Д - ( Ра, (ра, %а ) ПрИМвСИ И ЗНЯЧеНИЯ В МЭГНИТНОЙ ИНДуКЦИИ
« = '{ТС){Ра’<Ра’2а’Ра’<Ра’2а’Е1и ), (1-2.13)

Р~*Ра
Рассмотрим случай, когда примесный уровень располагается ниже дна МС ( <0). С учетом (1.2.5) - (1.2.9) в (1.2.11) для функции Грина будем
иметь:
со со
0{р,(р,г,ра,(ри,2аЕ = - 2 с1ЛСг ]хехр[-(Д +£п.тЛ)(
т.п о

Г Ра Р2Л V V у
хехр
( 2 , 2 У
Ра Р 4 а
( _г

Х2а1

V2«»2
ехр (т{(р-(ра))

+ £>

•I А-
(1+0-
-(1+0

(1.2.14)