Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур

• Автор: Денисов, Борис Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Саранск
• Количество страниц: 283 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Оптические способы повышения скорости обработки информации
1.2. Функциональная оптоэлектроника. Возможные пути повышения скорости обработки информации в рамках функциональной
оптоэл ектрони ки
1.3. Функциональные возможности фоторезисторных структур
и их использование в оптоэлектронике
1.4. Методы исследования параметров кинетики рекомбинации
носителей заряда в фоторезисторных структурах
1.5. Современные механизмы поляризационной электролюминесценции и
оптической памяти
1.6. Термоактивационные и емкостные методы исследования
центров захвата в широкозонных полупроводниках
ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ СИММЕТРИЧНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СТРУКТУР
2.1. Установки для исследований оптических и электрических
свойств фоточувствительных структур
2.2. Методы изготовления планарных щелевых структур:
2.3. Особенности технологий изготовления фоточувствительных
структур и структур с оптической памятью
2.4. Метод термостимулированной емкости для исследований щелевых
планарных структур на основе порошковых люминофоров

2.5. Методика исследования спектрального состава фототока фоторезисторной структуры с помощью переменного напряжения
2.6. Метод разделения сложных спектров
2.7. Методика определение кинетических параметров полупроводников
по измерению среднего значения фототока
ГЛАВА 3. ПОЛУПРОВОДНИК ПРИ ПЕРИОДИЧЕСКОМ ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ
3.1. Математические модели поведения среднего значения фототока при различных видах периодического возбуждения.
Метод определения закона рекомбинации
3.2. Экспериментальные исследования зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции светового потока
3.3. Чувствительность фоторезисторной структуры при периодическом возбуждении
ГЛАВА 4. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТОРА ПРИ НЕСТАЦИОНАРНОМ
ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ И ПИТАНИИ
Введение
4.1. Аналоговый перемножитель (смеситель) оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора
4.2. Амплитудный и балансный модулятор (смеситель) сигналов
на основе фоторезистора
4.3. Анализатор спектра модулированных по интенсивности оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора питаемого переменным напряжением
4.4. Синхронный, детектор модулированных сигналов на основе фоторезистора питаемого переменным напряжением
4.5. Гетеродинный прием и детектирование оптических сигналов модулированных по оптической частоте фоторезистором
с переменным смещением
ГЛАВЫ 5. ВЛИЯНИЕ КИНЕТИКИ И ИНЖЕКЦИОННЫХ
ЯВЛЕНИЙ НА КОЭФФИЦИЕНТ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ
5.1. Влияние кинетики межзонной рекомбинации на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора
5.2. Влияние инжекционных явлений на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора
5.3. Расчет влияния схемы измерения на коэффициент нелинейных искажений
5.4. Влияние уровней в запрещенной зоне на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора
ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ
ЩЕЛЕВЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРОШКОВЫХ
ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ и их
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА
6.1. Выбор технологии процесса изготовления порошковых электролюминесцентных структур
6.2. Исследование процессов скорости генерации свободных носителей электрическим полем. Математическая модель скорости генерации
6.3. Исследование и моделирование кинетики свечения электролюминесцентного конденсатора при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами
напряжения
6.4. О причинах различия энергии вспышек свечения при включении и выключении импульсов напряжения
6.5. Математическая модель емкостных свойств планарных электролюминесцентных конденсаторов. Метод
термостимулированной емко сти
6.6. Исследование центров захвата порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости

работают при любой полярности приложенного напряжения. При проецировании изображения в объеме полупроводника формируется рельеф ионизованных центров рекомбинации, соответствующий рельефу освещённости. Воспроизведение записанной картины производится по регистрации сигнала фотопроводимости при сканировании световым пучком, либо по регистрации изменения электрических и оптических свойств полупроводникового или диэлектрического слоев в сильном электрическом поле [67]. В обоих случаях имеется возможность одновременного воспроизведения всего изображения. Следует отметить, что для записи изображения может использоваться излучение одного спектрального состава, а воспроизведение осуществляется в другой спектральной области. Технология изготовления таких структур подробно описана в литературе [104].
Устройства оптической памяти на основе планарных щелевых структур в литературе не описаны. Электрические и оптические свойства таких структур не исследовались. Не исследовано также явление оптической памяти, которым должны обладать такие структуры, так как они изготавливались нами на основе материалов обладающих фоторезистивным эффектом.